[发明专利]晶圆缺陷的检测方法

说明书

本发明提供了一种晶圆缺陷的监控方法，应用于半导体领域中。其首先根据每种半导体工艺的不同特点建立与不同半导体工艺相对应的可能出现在晶圆上的缺陷特征，且该缺陷特征所需执行的加扫规则的对应关系的数据库，之后，当不同批次lot晶圆在原始缺陷扫描中出现缺陷时，就可以通过该缺陷自动启动本发明提供的缺陷加扫机制，已对存在缺陷的批次lot晶圆进行加扫缺陷扫描，而无需像现有技术那样在发现了不同批次lot晶圆在初始缺陷扫描中出现缺陷问题后，需要人工手动Run card进站进行缺陷监控，进而避免了现有技术中人为因素多、监控效率较低、以及存在一定监控失效概率的问题，也就实现了提高晶圆的监控效率的目的。

技术领域

本发明涉及半导体产品质量控制技术领域，特别涉及一种晶圆缺陷的在线检测方法。

背景技术

随着半导体器件工艺的发展，半导体器件的尺寸不断缩小，晶圆缺陷扫描已经成为提升半导体器件良率一项不可或缺的手段，晶圆缺陷扫描是通过晶圆缺陷扫描机台捕获晶圆表面的缺陷，随着半导体芯片集成度越来越高，晶圆缺陷扫描的难度也越来越大。其中，暗场扫描技术由于其产能、成本和特定层适用性等方面的优势在晶圆缺陷检测领域中被广泛地应用。

目前，对晶圆的缺陷监测的晶圆样品的选取方式是：通过抓取特定尾数、特定片数的晶圆进行缺陷扫描，然后，针对此次缺陷扫描中出现问题的晶圆批次中的缺陷晶圆批次的监控则需要通过人为Run card进站进行缺陷监控，监控效率较低。

发明内容

本发明的目的在于提供一种晶圆缺陷的监控方法，以提高晶圆的监控效率。

第一方面，为解决上述技术问题，本发明提供一种晶圆缺陷的监控方法，包括：

预先建立晶圆缺陷检测的缺陷特征数据库，所述缺陷特征数据库包含晶圆在执行不同半导体工艺时的缺陷特征与针对每一缺陷特征所需执行的加扫规则的对应关系；

获取不同批次lot晶圆，并采用预定的扫描方式对所述不同批次lot晶圆进行初始缺陷扫描；

当检测到所述不同批次lot晶圆中的至少一批次lot晶圆存在缺陷时，触发预设的缺陷加扫机制，对存在缺陷的批次lot晶圆进行加扫缺陷扫描，直至达到缺陷扫描结束条件。

进一步的，所述不同批次lot晶圆进行的初始缺陷扫描和所述加扫缺陷扫描可以为在线缺陷扫描或离线缺陷扫描。

进一步的，所述每一批次lot晶圆中可以包含多片晶圆，且每片晶圆可以设置有一晶圆ID；

所述加扫规则可以包括：将所述初始缺陷扫描中存在缺陷的每一批次lot晶圆中的每片晶圆均进行一次或多次加扫缺陷扫描；或者，将所述初始缺陷扫描中存在缺陷的多个批次lot晶圆中的相同晶圆ID对应的晶圆均进行一次或多次加扫缺陷扫描；再或者，将所述初始缺陷扫描中存在缺陷的多个批次lot晶圆中的相邻批次lot晶圆中的每片晶圆均进行一次或多次加扫缺陷扫描。

进一步的，所述预设的缺陷加扫机制可以包括：当检测到所述不同批次lot晶圆中的至少一批次lot晶圆在所述初始缺陷扫描中存在缺陷时，确定存在缺陷的批次lot晶圆的缺陷特征，且将确定出的缺陷特征与所述晶圆缺陷检测的缺陷特征数据库进行比对，并根据所述缺陷特征数据库中包含的晶圆在执行不同半导体工艺时的缺陷特征与针对每一缺陷特征所需执行的加扫规则的对应关系，对所述存在缺陷的批次lot晶圆进行加扫缺陷扫描。

进一步的，在所述检测到所述不同批次lot晶圆中的至少一批次lot晶圆存在缺陷之后，且在触发预设的缺陷加扫机制，对存在缺陷的批次lot晶圆进行加扫缺陷扫描之前，所述方法还可以包括：

判断在所述初始缺陷扫描中存在缺陷的批次lot晶圆的缺陷等级，并根据不同的缺陷等级，对所述存在缺陷的批次lot晶圆进行加扫缺陷扫描。