[发明专利]晶圆缺陷的检测方法

权利要求书

1.一种晶圆缺陷的监控方法，其特征在于，包括如下步骤：

预先建立晶圆缺陷检测的缺陷特征数据库，所述缺陷特征数据库包含晶圆在执行不同半导体工艺时的缺陷特征与针对每一缺陷特征所需执行的加扫规则的对应关系；

获取不同批次lot晶圆，并采用预定的扫描方式对所述不同批次lot晶圆进行初始缺陷扫描；

当检测到所述不同批次lot晶圆中的至少一批次lot晶圆存在缺陷时，触发预设的缺陷加扫机制，对存在缺陷的批次lot晶圆进行加扫缺陷扫描，直至达到缺陷扫描结束条件。

2.如权利要求1所述的晶圆缺陷的监控方法，其特征在于，所述不同批次lot晶圆进行的初始缺陷扫描和所述加扫缺陷扫描为在线缺陷扫描或离线缺陷扫描。

3.如权利要求2所述的晶圆缺陷的监控方法，其特征在于，所述每一批次lot晶圆中包含多片晶圆，且每片晶圆设置有一晶圆ID；

所述加扫规则包括：将所述初始缺陷扫描中存在缺陷的每一批次lot晶圆中的每片晶圆均进行一次或多次加扫缺陷扫描；或者，将所述初始缺陷扫描中存在缺陷的多个批次lot晶圆中的相同晶圆ID对应的晶圆均进行一次或多次加扫缺陷扫描；再或者，将所述初始缺陷扫描中存在缺陷的多个批次lot晶圆中的相邻批次lot晶圆中的每片晶圆均进行一次或多次加扫缺陷扫描。

4.如权利要求1所述的晶圆缺陷的监控方法，其特征在于，所述预设的缺陷加扫机制包括：当检测到所述不同批次lot晶圆中的至少一批次lot晶圆在所述初始缺陷扫描中存在缺陷时，确定存在缺陷的批次lot晶圆的缺陷特征，且将确定出的缺陷特征与所述晶圆缺陷检测的缺陷特征数据库进行比对，并根据所述缺陷特征数据库中包含的晶圆在执行不同半导体工艺时的缺陷特征与针对每一缺陷特征所需执行的加扫规则的对应关系，对所述存在缺陷的批次lot晶圆进行加扫缺陷扫描。

5.如权利要求4所述的晶圆缺陷的监控方法，其特征在于，在所述检测到所述不同批次lot晶圆中的至少一批次lot晶圆存在缺陷之后，且在触发预设的缺陷加扫机制，对存在缺陷的批次lot晶圆进行加扫缺陷扫描之前，所述方法还包括：

判断在所述初始缺陷扫描中存在缺陷的批次lot晶圆的缺陷等级，并根据不同的缺陷等级，对所述存在缺陷的批次lot晶圆进行加扫缺陷扫描。

6.如权利要求5所述的晶圆缺陷的监控方法，其特征在于，所述缺陷等级包括一级和二级，其中，当所述缺陷等级为一级时，其所对应的批次lot晶圆为可利用晶圆；当所述缺陷等级为二级时，其所对应的批次lot晶圆为不可利用晶圆。

7.如权利要求6所述的晶圆缺陷的监控方法，其特征在于，在判断出所述初始缺陷扫描中存在缺陷的批次lot晶圆的一级之后，所述方法还包括：

若所述批次lot晶圆中只包含有一片晶圆为缺陷晶圆，则将该批次lot晶圆中待进行加扫缺陷扫描的扫描取样比例设置为与所述初始缺陷扫描中设置的扫描取样比例相同，否则，则将该批次lot晶圆中待进行加扫缺陷扫描的扫描取样比例设置为比所述初始缺陷扫描中设置的扫描取样比例多30％。

8.如权利要求6所述的晶圆缺陷的监控方法，其特征在于，在判断出所述初始缺陷扫描中存在缺陷的批次lot晶圆的二级之后，所述方法还包括：

若所述批次lot晶圆中只包含有一片晶圆为缺陷晶圆，则将该批次lot晶圆中待进行加扫缺陷扫描的扫描取样比例设置为比所述初始缺陷扫描中设置的扫描取样比例多50％，否则，则将该批次lot晶圆中待进行加扫缺陷扫描的扫描取样比例设置为比所述初始缺陷扫描中设置的扫描取样比例多100％。

9.如权利要求7或8所述的晶圆缺陷的监控方法，其特征在于，在对存在缺陷的批次lot晶圆进行加扫缺陷扫描之后，所述方法还包括：

判断进行了加扫缺陷扫描之后的批次lot晶圆是否存在缺陷，若没有，则在预设扫描时间之后将所述批次lot晶圆的扫描取样比例恢复到与所述初始缺陷扫描中设置的扫描取样比例相同。

10.如权利要求9所述的晶圆缺陷的监控方法，其特征在于，所述预设时间包括：12h～48h。