[发明专利]一种全桥逆变电路及其驱动方法、高压发生器

说明书

本发明提供了一种全桥逆变电路及其驱动方法、高压发生器，该驱动方法包括：获取每一所述MOSFET管的第一相位偏差，所述第一相位偏差为所述MOSFET管的输出信号相对于驱动信号的相位偏差；根据所述第一相位偏差确定每一所述MOSFET管的相位补偿值；分别按照所述相位补偿值，确定每一所述MOSFET管的驱动信号的相位；分别根据每一所述MOSFET管的驱动信号的相位，生成对应的所述MOSFET管的驱动信号。每一MOSFET管在补偿后的MOSFET管的驱动信号的驱动下，保证了每一MOSFET管的均流性。

技术领域

本发明涉及逆变电路技术领域，具体涉及一种全桥逆变电路及其驱动方法、高压发生器。

背景技术

逆变电路作为高压发生器的重要组成部分，可将直流电转换为交流电，经过高压发生器中的变压器输出高压交流电，输出的高压交流电可供各类设备使用，最大限度的满足移动供电场所或高压用电场所的使用。

现有的逆变电路结构中，大功率设备常采用多个MOSFET管或IGBT管并联的方式实现电流的逆变。但是，将多个MOSFET管或多个IGBT管并联使用的同时，会受到分布参数带来的均流差异的问题，也即是，逆变电路中并联的多个MOSFET管或多个IGBT管在同一导通瞬间，经过相邻MOSFET管或IGBT管的电流并不相同，出现分流现象，这会降低逆变电路的额定电流，从而降低了高压发生器的实际功率。

发明内容

因此，本发明要解决现有技术中的逆变电路会产生均流差异的技术问题，从而提供一种全桥逆变电路及其驱动方法、高压发生器。

根据第一方面，本发明实施例提供了一种全桥逆变电路的驱动方法，所述驱动方法包括：

获取每一所述MOSFET管的第一相位偏差，所述第一相位偏差为所述MOSFET管的输出信号相对于驱动信号的相位偏差；

根据所述第一相位偏差确定每一所述MOSFET管的相位补偿值；

分别按照所述相位补偿值，确定每一所述MOSFET管的驱动信号的相位；

分别根据每一所述MOSFET管的驱动信号的相位，生成对应的所述MOSFET管的驱动信号。

可选地，所述根据所述第一相位偏差确定每一所述MOSFET管的相位补偿值，包括：

将所述第一相位偏差最小值所对应的MOSFET管的输出信号相位作为参考相位，确定所述多个MOSFET管中的其他所述MOSFET管的相位补偿值；

或，将所述第一相位偏差最大值所对应的MOSFET管的输出信号相位作为参考相位，确定所述多个MOSFET管中的其他所述的相位补偿值；

或，将所有所述第一相位偏差的平均相位作为参考相位，确定所述多个MOSFET管中的每一所述MOSFET管的相位补偿值。

可选地，所述分别按照所述相位补偿值，确定每一所述MOSFET管的驱动信号的相位，包括：

按照所述相位补偿值，进行超前相位补偿或滞后相位补偿，得到驱动信号的相位。

可选地，使用相位补偿后的所述驱动信号对所述多个MOSFET管进行驱动后，任意两个所述MOSFET管的第二相位偏差小于预设值，所述第二相位偏差为任意两个所述MOSFET管的输出信号之间的相位偏差。

根据第二方面，本发明实施例提供了一种全桥逆变电路，包括:

所述全桥逆变电路的每一桥臂包括并联的多个MOSFET管，所述全桥逆变电路还包括与所述多个MOSFET管一一对应的多个驱动电路；