[发明专利]一种全桥逆变电路及其驱动方法、高压发生器

权利要求书

1.一种全桥逆变电路的驱动方法，其特征在于，所述全桥逆变电路的每一桥臂包括并联的多个MOSFET管，所述驱动方法包括：

获取每一所述MOSFET管的第一相位偏差，所述第一相位偏差为所述MOSFET管的输出信号相对于驱动信号的相位偏差；

根据所述第一相位偏差确定每一所述MOSFET管的相位补偿值；

分别按照所述相位补偿值，确定每一所述MOSFET管的驱动信号的相位；

分别根据每一所述MOSFET管的驱动信号的相位，生成对应的所述MOSFET管的驱动信号。

2.根据权利要求1所述的全桥逆变电路的驱动方法，其特征在于，所述根据所述第一相位偏差确定每一所述MOSFET管的相位补偿值，包括：

将所述第一相位偏差最小值所对应的MOSFET管的输出信号相位作为参考相位，确定所述多个MOSFET管中的其他所述MOSFET管的相位补偿值；

或，将所述第一相位偏差最大值所对应的MOSFET管的输出信号相位作为参考相位，确定所述多个MOSFET管中的其他所述的相位补偿值；

或，将所有所述第一相位偏差的平均相位作为参考相位，确定所述多个MOSFET管中的每一所述MOSFET管的相位补偿值。

3.根据权利要求1所述的全桥逆变电路的驱动方法，其特征在于，所述分别按照所述相位补偿值，确定每一所述MOSFET管的驱动信号的相位，包括：

按照所述相位补偿值，进行超前相位补偿或滞后相位补偿，得到驱动信号的相位。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的全桥逆变电路的驱动方法，其特征在于，使用相位补偿后的所述驱动信号对所述多个MOSFET管进行驱动后，任意两个所述MOSFET管的第二相位偏差小于预设值，所述第二相位偏差为任意两个所述MOSFET管的输出信号之间的相位偏差。

5.一种全桥逆变电路，其特征在于，包括:

所述全桥逆变电路的每一桥臂包括并联的多个MOSFET管，所述全桥逆变电路还包括与所述多个MOSFET管一一对应的多个驱动电路；

所述驱动电路用于输出对应的所述MOSFET管的驱动信号，每一所述驱动信号的相位是由相位补偿值确定的，所述相位补偿值是根据所述多个MOSFET管的第一相位偏差确定的，所述第一相位偏差为所述MOSFET管的输出信号相对于驱动信号的相位偏差。

6.根据权利要求5所述的全桥逆变电路，其特征在于，每一所述MOSFET管采用TO-247-4封装结构，所述TO-247-4封装结构包括源极、栅极、漏极、栅极发射极，所述栅极发射极与所述驱动电路连接。

7.根据权利要求5所述的全桥逆变电路，其特征在于，每一所述MOSFET管与每一所述驱动电路及连接导线对称设置在PCB板上。

8.根据权利要求5所述的全桥逆变电路，其特征在于，所述MOSFET管采用SiC MOSFET管。

9.根据权利要求5所述的全桥逆变电路，其特征在于，还包括：

驱动控制单元，用于分别控制所述驱动电路产生所述驱动信号。

10.一种高压发生器，其特征在于，包括上述权利要求5-9任意一权利要求中所述的全桥逆变电路。