[发明专利]半导体封装在审
申请号: | 202210937420.7 | 申请日: | 2022-08-05 |
公开(公告)号: | CN115706096A | 公开(公告)日: | 2023-02-17 |
发明(设计)人: | 赵升贤;孙俊植;秋喆焕 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L25/065 | 分类号: | H01L25/065;H01L23/535 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 马晓蒙 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 | ||
1.一种半导体封装,包括:
顺序地一个堆叠在另一个上的第一、第二、第三和第四半导体芯片,
其中所述第一、第二、第三和第四半导体芯片中的每个包括
在第一方向上交替布置的第一组接合焊盘和第二组接合焊盘,以及
输入/输出电路,分别选择性地连接到所述第一组接合焊盘,以及
其中所述第一、第二和第三半导体芯片中的每个包括电连接到所述第一组接合焊盘的第一组贯穿电极和电连接到所述第二组接合焊盘的第二组贯穿电极。
2.根据权利要求1所述的半导体封装,其中
所述第一半导体芯片和所述第三半导体芯片的所述第一组接合焊盘分别电连接到所述第二半导体芯片和所述第四半导体芯片的所述第二组接合焊盘,以及
所述第一半导体芯片和所述第三半导体芯片的所述第二组接合焊盘分别电连接到所述第二半导体芯片和所述第四半导体芯片的所述第一组接合焊盘。
3.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述第四半导体芯片的所述输入/输出电路被配置为通过所述第三半导体芯片的所述第二组贯穿电极、所述第二半导体芯片的所述第一组贯穿电极和所述第一半导体芯片的所述第二组贯穿电极传输信号。
4.根据权利要求3所述的半导体封装,其中所述第三半导体芯片的所述输入/输出电路被配置为通过所述第二半导体芯片的所述第二组贯穿电极和所述第一半导体芯片的所述第一组贯穿电极传输信号。
5.根据权利要求4所述的半导体封装,其中所述第二半导体芯片的所述输入/输出电路被配置为通过所述第一半导体芯片的所述第二组贯穿电极传输信号。
6.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述第一、第二和第三半导体芯片包括相应的第一组贯穿电极和第二组贯穿电极的相同布置。
7.根据权利要求6所述的半导体封装,其中所述第二半导体芯片在所述第一方向上从所述第一半导体芯片偏移一间隔,并且所述第三半导体芯片在所述第一方向的相反方向上从所述第二半导体芯片偏移所述间隔。
8.根据权利要求7所述的半导体封装,其中所述间隔是彼此相邻的所述贯穿电极之间的距离。
9.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述第一半导体芯片和所述第三半导体芯片的相应的第一组贯穿电极和第二组贯穿电极的第一布置不同于所述第二半导体芯片的所述第一组贯穿电极和所述第二组贯穿电极的第二布置。
10.根据权利要求9所述的半导体封装,其中所述第一、第二和第三半导体芯片中的每个进一步包括熔丝部分,所述熔丝部分被配置为将所述输入/输出电路与所述第一组贯穿电极电分离。
11.一种半导体封装,包括:
顺序地一个堆叠在另一个上的第一、第二、第三和第四半导体芯片,
其中所述第一、第二和第三半导体芯片中的每个包括
在第一方向上交替布置的第一组贯穿电极和第二组贯穿电极,以及
输入/输出电路,分别选择性地连接到所述第一组贯穿电极,
其中所述第一半导体芯片和所述第三半导体芯片的所述第一组贯穿电极分别电连接到所述第二半导体芯片的所述第二组贯穿电极,以及
所述第一半导体芯片和所述第三半导体芯片的所述第二组贯穿电极分别电连接到所述第二半导体芯片的所述第一组贯穿电极。
12.根据权利要求11所述的半导体封装,其中所述第一、第二和第三半导体芯片包括相应的第一组贯穿电极和第二组贯穿电极的相同布置。
13.根据权利要求12所述的半导体封装,其中所述第二半导体芯片在所述第一方向上从所述第一半导体芯片偏移一间隔,并且所述第三半导体芯片在所述第一方向的相反方向上从所述第二半导体芯片偏移所述间隔。
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