[发明专利]显示装置的制造方法在审
| 申请号: | 202210934987.9 | 申请日: | 2022-08-04 |
| 公开(公告)号: | CN115881759A | 公开(公告)日: | 2023-03-31 |
| 发明(设计)人: | 矶野大树;山田一幸;浅田圭介;武政健一 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本显示器 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 牛蔚然 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示装置 制造 方法 | ||
本发明涉及显示装置的制造方法。提高显示装置性能。制造方法包含:(a)准备以行列状排列有多个第一无机发光元件的第一基板和形成有多个第一端子的阵列基板的工序;(b)对第一基板的厚度、一个以上的第一无机发光元件的厚度及阵列基板的厚度中的各自进行计测的工序;(c)在使保持于第一工作台的第一基板与保持于第二工作台的阵列基板对置的状态下将多个第一无机发光元件中的各自与阵列基板压靠,将阵列基板的多个第一端子与多个第一无机发光元件电连接的工序;(d)将第一基板与多个第一无机发光元件剥离的工序,在(c)工序中基于在(b)工序中计测的结果控制将多个第一无机发光元件中的各自与阵列基板压靠的压入量。
技术领域
本发明涉及显示装置的制造技术。
背景技术
作为显示装置,存在在基板上将作为自发光元件的无机发光二极管元件以行列状排列的LED(Light Emitting Dioder:发光二极管)显示装置(例如,参见专利文献1(日本特开2020-67626号公报))。另外,作为更高精细的显示装置,存在使用被称为微LED的微小无机发光二极管元件的微LED显示装置(例如,参见专利文献2(日本特开2019-36719号公报))。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2020-67626号公报
专利文献2:日本特开2019-36719号公报
发明内容
发明要解决的课题
LED显示装置的制造工序及微LED显示装置的制造工序包含向基板上安装多个LED元件(或微LED元件)的工序。在安装多个LED元件的工序中,多个LED元件被压靠于基板。此时将多个LED元件压靠于基板的压力(压靠力)的控制很重要。例如,在压靠力过大的情况下,会导致多个LED元件、基板损伤。另外,在压靠力过小的情况下,会导致在基板上形成的端子与LED元件的电连接可靠性下降。
本发明的目的在于提供提高使用多个无机发光二极管元件的显示装置的性能的技术。
用于解决课题的手段
作为本发明一个方式的显示装置的制造方法包含以下工序。(a)准备以行列状排列有多个第一无机发光元件的第一基板和形成有多个第一端子的阵列基板的工序。(b)对所述第一基板的厚度、所述多个第一无机发光元件中的一个以上的第一无机发光元件的厚度及所述阵列基板的厚度中的各自进行计测的工序。(c)在使保持于第一工作台的所述第一基板与保持于第二工作台的所述阵列基板对置的状态下,通过将所述多个第一无机发光元件中的各自与所述阵列基板压靠,从而将所述阵列基板的所述多个第一端子与所述多个第一无机发光元件电连接的工序。(d)在所述(c)工序后,将所述第一基板与所述多个第一无机发光元件剥离的工序。在所述(c)工序中,基于所述(b)工序中计测的结果控制将所述多个第一无机发光元件中的各自与所述阵列基板压靠的强度。
附图说明
图1是示出作为一个实施方式的显示装置的构成例的俯视图。
图2是示出图1所示的像素周边的电路的构成例的电路图。
图3是示出分别配置于图1所示的显示装置的多个像素中的各自的LED元件的周边构造的一例的放大剖视图。
图4是示出针对图3所示的LED元件的变形例的放大剖视图。
图5是示出图1所示的显示装置的制造工序的流程的说明图。
图6是示出在图5所示的准备LED保持基板的工序中准备的基板的概要的俯视图。
图7是示出在图5所示的准备阵列基板的工序中准备的阵列基板SUB1的概要的剖视图。
图8是示意性示出图5所示的计测厚度的工序中的计测部位的一例的剖视图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日本显示器,未经株式会社日本显示器许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210934987.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:玻璃基板支撑装置
- 下一篇:一种不停产停运预转化系统的操作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





