[发明专利]半导体结构的清洗装置、清洗系统及清洗方法

说明书

本公开是关于结构设计技术领域，涉及一种半导体结构的清洗装置、清洗系统和清洗方法。本公开的清洗装置包括驱动件、第一喷嘴以及第二喷嘴，其中：驱动件与半导体结构固定连接，并能驱动半导体结构旋转；第一喷嘴设于半导体结构的一侧，用于向半导体结构的第一区域喷射第一雾化液滴；第二喷嘴与第一喷嘴设于半导体结构的同一侧，用于向半导体结构的第二区域喷射第二雾化液滴，第一区域与第二区域至少部分重合。本公开的清洗装置可减少缺陷来源，提高产品良率。

技术领域

本公开涉及结构设计技术领域，具体而言，涉及一种半导体结构的清洗装置、清洗系统及清洗方法。

背景技术

动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)因具有体积小、集成化程度高及传输速度快等优点，被广泛应用于手机、平板电脑等移动设备中。

在DRAM制程过程中，常会用到研磨工艺对晶圆表面进行抛光，在研磨之后需对晶圆表面进行清洗，进而去除研磨液或副产物，但是，目前的清洗后晶圆表面残留较多，且清洗效率较低。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

有鉴于此，本公开提供一种半导体结构的清洗装置、清洗系统及清洗方法，可减少缺陷来源，提高产品良率。

根据本公开的一个方面，提供一种半导体结构的清洗装置，包括：

驱动件，与所述半导体结构连接，并能驱动所述半导体结构旋转；

第一喷嘴，设于所述半导体结构的一侧，用于向所述半导体结构的第一区域喷射第一雾化液滴；

第二喷嘴，与所述第一喷嘴设于所述半导体结构的同一侧，用于向所述半导体结构的第二区域喷射第二雾化液滴，所述第一区域与所述第二区域至少部分重合。

在本公开的一种示例性实施例中，所述半导体结构沿竖直方向设置，所述第一区域包括所述半导体结构的顶部向下六分之一处的水平边界与所述半导体结构的顶部向下四分之一处的水平边界围成的区域。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第二区域包括所述半导体结构的顶部向下六分之一处的水平边界与所述半导体结构的顶部向下四分之一处的水平边界围成的区域。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一喷嘴与所述第一区域的顶部水平边界的最短连接线与所述半导体结构的表面的夹角为50°～60°，所述第一喷嘴与所述第一区域的底部水平边界的最短连接线与所述半导体结构的表面的夹角为40°～45°；和/或

所述第二喷嘴与所述第二区域的顶部水平边界的最短连接线与所述半导体结构的表面的夹角为100°～110°，所述第二喷嘴与所述第二区域的底部水平边界的最短连接线与所述半导体结构的表面的夹角为70°～75°。

在本公开的一种示例性实施例中，在水平方向上，所述第一喷嘴与所述半导体结构的间距为6cm～8cm；和/或

在所述水平方向上，所述第二喷嘴与所述半导体结构的间距为6cm～8cm。

在本公开的一种示例性实施例中，在竖直方向上，所述第一喷嘴与所述半导体结构的顶部的间距为1.8cm～2.2cm；和/或

在所述竖直方向上，所述第二喷嘴与所述第一喷嘴的间距为8cm～9cm。

在本公开的一种示例性实施例中，所述清洗装置还包括：

第一管道，与所述第一喷嘴连接，用于向所述第一喷嘴输送第一液体，所述第一喷嘴能将所述第一液体雾化，以形成所述第一雾化液滴；