[发明专利]半导体结构的清洗装置、清洗系统及清洗方法

权利要求书

1.一种半导体结构的清洗装置，其特征在于，包括：

驱动件，与所述半导体结构连接，并能驱动所述半导体结构旋转；

第一喷嘴，设于所述半导体结构的一侧，用于向所述半导体结构的第一区域喷射第一雾化液滴；

第二喷嘴，与所述第一喷嘴设于所述半导体结构的同一侧，用于向所述半导体结构的第二区域喷射第二雾化液滴，所述第一区域与所述第二区域至少部分重合。

2.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述半导体结构沿竖直方向设置，所述第一区域包括所述半导体结构的顶部向下六分之一处的水平边界与所述半导体结构的顶部向下四分之一处的水平边界围成的区域。

3.根据权利要求2所述的清洗装置，其特征在于，所述第二区域包括所述半导体结构的顶部向下六分之一处的水平边界与所述半导体结构的顶部向下四分之一处的水平边界围成的区域。

4.根据权利要求3所述的清洗装置，其特征在于，所述第一喷嘴与所述第一区域的顶部水平边界的最短连接线与所述半导体结构的表面的夹角为50°～60°，所述第一喷嘴与所述第一区域的底部水平边界的最短连接线与所述半导体结构的表面的夹角为40°～45°；和/或

所述第二喷嘴与所述第二区域的顶部水平边界的最短连接线与所述半导体结构的表面的夹角为100°～110°，所述第二喷嘴与所述第二区域的底部水平边界的最短连接线与所述半导体结构的表面的夹角为70°～75°。

5.根据权利要求4所述的清洗装置，其特征在于，在水平方向上，所述第一喷嘴与所述半导体结构的间距为6cm～8cm；和/或

在所述水平方向上，所述第二喷嘴与所述半导体结构的间距为6cm～8cm。

6.根据权利要求5所述的清洗装置，其特征在于，在竖直方向上，所述第一喷嘴与所述半导体结构的顶部的间距为1.8cm～2.2cm；和/或

在所述竖直方向上，所述第二喷嘴与所述第一喷嘴的间距为8cm～9cm。

7.根据权利要求1-6任一项所述的清洗装置，其特征在于，所述清洗装置还包括：

第一管道，与所述第一喷嘴连接，用于向所述第一喷嘴输送第一液体，所述第一喷嘴能将所述第一液体雾化，以形成所述第一雾化液滴；

第二管道，与所述第二喷嘴连接，用于向所述第二喷嘴输送第二液体，所述第二喷嘴能将所述第二液体雾化，以形成所述第二雾化液滴。

8.根据权利要求7所述的清洗装置，其特征在于，所述第一喷嘴喷射的所述第一雾化液滴的流速为800ml/min～1500ml/min；和/或

所述第二喷嘴喷射的所述第二雾化液滴的流速为800ml/min～1500ml/min。

9.根据权利要求8所述的清洗装置，其特征在于，所述第一喷嘴的数量为多个，多个所述第一喷嘴沿所述第一管道的延伸方向间隔设置；和/或

所述第二喷嘴的数量为多个，多个所述第二喷嘴沿所述第二管道的延伸方向间隔设置。

10.根据权利要求9所述的清洗装置，其特征在于，多个所述第一喷嘴能喷射出多种不同直径的第一雾化液滴；和/或

多个所述第二喷嘴能喷射出多种不同直径的第二雾化液滴。

11.根据权利要求10所述的清洗装置，其特征在于，相邻的所述第一喷嘴喷射的所述第一雾化液滴的直径不同；和/或

相邻的所述第二喷嘴喷射的所述第二雾化液滴的直径不同。

12.根据权利要求7所述的清洗装置，其特征在于，所述第一喷嘴和所述第二喷嘴均包括喷管，所述喷管具有旋流腔，所述旋流腔内设有旋转叶片，所述第一液体经过所述旋流腔后形成所述第一雾化液滴；和/或

所述第二液体经过所述旋流腔后形成所述第二雾化液滴。