[发明专利]一种非对称驱动旋转等离子刻蚀设备在审

专利信息
申请号: 202210917273.7 申请日: 2022-08-01
公开(公告)号: CN115295477A 公开(公告)日: 2022-11-04
发明(设计)人: 张爽;曹婷 申请(专利权)人: 超芯微半导体设备(苏州)有限公司
主分类号: H01L21/687 分类号: H01L21/687;H01L21/3065;H01J37/20;H01J37/305
代理公司: 苏州久元知识产权代理事务所(普通合伙) 32446 代理人: 潘宏伟
地址: 215000 江苏省苏州市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 对称 驱动 旋转 等离子 刻蚀 设备
【说明书】:

发明公开了一种非对称驱动旋转等离子刻蚀设备,其通过旋转组件带动位于反应室的工作台做非对称转动,从而使得待刻蚀的基板在不同的时间各点处于不同的位置,结合多电离室和多线圈,从而使得基板的各点在一段时间内接触的等离子更加均匀,避免局部位置等离子分布不均匀的情况,对于大尺寸晶圆的刻蚀效果更加明显。

技术领域

本发明涉及半导体刻蚀技术领域,尤其是一种非对称驱动旋转等离子刻蚀设备。

背景技术

在半导体的生产过程中,刻蚀是关键的一步,早期的刻蚀采用湿法刻蚀,由于湿法刻蚀的固有缺陷,其逐渐被干法刻蚀取代,但是现有的干法刻蚀存在以下技术问题。

片上均匀性的控制不良。由等离子体驻波效应引起。目前设备通过多线圈方式来提高等离子密度的均匀性,但是多线圈仍然不能完全有效解决该问题,等离子的密度其在产生和传输过程中都存在不均匀性,多线圈的方式进行等离子传输,由于其电场强度是不均匀分布的,因此,传输至反应室内的等离子也是不均匀的,从而使得刻蚀不均匀。特别是进行大尺寸晶圆刻蚀时,中心与边缘的刻蚀速率、特征尺寸甚至轮廓等均出现差别,导致良率和控制精度的下降。

发明内容

本发明提供一种非对称驱动旋转等离子刻蚀设备,其可以使得大尺寸晶圆刻蚀时,中心与边缘的刻蚀速率基本相同。

一种非对称驱动旋转等离子刻蚀设备,包括壳体,所述壳体上部设有电离室,电离室内设有第一电极,气体通过电离室后进入反应室,反应室下部设有工作台,所述工作台设置在旋转组件上,所述工作台设有第二电极,所述旋转组件包括外壳,所述外壳包括顶部和侧部,所述侧部设有第一齿部,所述第一齿部整体呈圆形,所述外壳内设有中心齿轮和旋转齿轮,所述旋转齿轮位于中心齿轮和所述侧部之间,旋转齿轮分别与中心齿轮和第一齿部啮合,外壳转动时,旋转齿轮沿着中心齿轮的中轴线及旋转齿轮的中轴线转动,所述旋转齿轮设有杆部,所述杆部穿过外壳向上延伸,所述工作台与杆部固定连接。

进一步地,所述旋转齿轮为多个,并均匀分布在中心齿轮和侧部之间。

进一步地,所述第二电极通过导电滑环与高频电源电连接。

进一步地,所述中心齿轮与壳体固定连接,中心齿轮中部设有轴承,外壳一端设置在轴承内。

进一步地,所述延伸部设有第二齿部,电机通过驱动齿轮带动第二齿部转动。

进一步地,所述多个旋转齿轮轴心通过连杆连接。

进一步地,所述电离室为多个。

进一步地,所述第一电极呈螺旋线形。

采用本发明的技术方案,具有以下技术效果:

由于旋转齿轮沿着中心齿轮的中轴线及旋转齿轮的中轴线转动,因此带动与其连接的工作台做非对称旋转运动,使得基板的各点既可能位于中部也可能位于外侧。本发明改变了以往对等离子静态均匀的追求,采用非对称驱动的方式,使得即使到达基板的等离子静态不均匀的情况下,也能保证其动态均匀。对于大尺寸晶圆刻蚀的刻蚀,效果更加明显。

附图说明

图1为实施例一的示意图。

图2为实施例一的内部示意图。

图3为实施例一的缓冲腔和电离室结构示意图。

图4为实施例一剖面结构示意图。

图5为旋转齿轮与中心齿轮和侧部的啮合结构示意图。

图6为实施例一在A时刻,C、D的位置示意图。

图7为实施例一在B时刻,C、D的位置示意图。

图8为实施例二的旋转齿轮配合示意图。

图9为实施例三的结构示意图。

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