[发明专利]半导体元件

说明书

本发明提供一种半导体元件，不增加系列数就能够选择适当的电阻值。半导体元件具备：第一电阻层；第二电阻层，其与第一电阻层分离地设置，第二电阻层的电阻值与第一电阻层的电阻值不同；第一外部连接电极，其电连接于第一电阻层的一端侧；第二外部连接电极，其与第一外部连接电极分离地设置，电连接于第二电阻层的一端侧；以及保护膜，其覆盖第一外部连接电极和第二外部连接电极，在保护膜的一部分具有使第一外部连接电极的上表面的一部分露出的第一开口部和使第二外部连接电极的上表面的一部分露出的第二开口部，其中，第一开口部的平面图案的形状与第二开口部的平面图案的形状互不相同。

技术领域

本发明涉及一种被用于开关元件的栅极电阻元件等的半导体元件。

背景技术

在半导体集成电路(IC)等中，已知一种设置有具有多晶硅(polysilicon)薄膜的电阻层的半导体元件(电阻元件)。在该半导体元件中，在电阻层的上表面侧且电阻层的两端连接有2个电极，对2个电极分别接合键合线(bonding wire)。因此，芯片尺寸大，并且需要2条键合线。

因此，专利文献1及2公开了以下一种使电流纵向流通的纵向的半导体元件，该纵向的半导体元件的构造为：在电阻层的上表面侧，电阻层的一端与1个电极连接，电阻层的另一端经由中继布线来与半导体基板进行欧姆连接。相比于横向的半导体元件，通过设为纵向的半导体元件，能够削减芯片尺寸，并且能够减少与电极连接的键合线的条数。

专利文献1及2所记载的半导体元件例如能够用作半导体模块中的绝缘栅型双极晶体管(IGBT)的栅极电阻元件。在配置2个IGBT芯片的情况下，作为专利文献1及2所记载的半导体元件，能够与2个IGBT芯片对应地采用在1个芯片设置有2个电阻层的构造。在该情况下，通过将具有同一电阻值的2个电阻层呈线对称地配置，能够在组装时容许180°的芯片旋转。

另外，专利文献3公开以下内容：在通过电阻分压方式将数字信号变换为模拟信号或者将模拟信号变换为数字信号的半导体集成电路装置中设置有电阻分压电路，该电阻分压电路包括：2n-2个串联连接的相同电阻值的第一电阻单元；第一精度修调(Trimming)单元，其与串联连接的第一电阻单元的一个端部连接，来提高修调精度；第二精度修调单元，其与串联连接的第一电阻单元的另一个端部连接，来提高修调精度；以及选择开关，其与第一电阻单元、第一精度修调单元的连接部以及第二精度修调单元的连接部并联连接。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2019-106485号公报

专利文献2：日本特开2020-98822号公报

专利文献3：日本特开平10-51308号公报

发明内容

发明要解决的问题

关于专利文献1及2所记载的半导体元件的电阻值，需要针对安装半导体元件的每个半导体模块设计成适当的值。根据情况，需要精细地设定专利文献1及2所记载的半导体元件的电阻值，以充分发挥IGBT芯片的性能。从而存在系列数增加的问题。

鉴于上述问题，本发明的目的在于提供一种不增加系列数就能够选择适当的电阻值的半导体元件。

用于解决问题的方案

本发明的一个方式为一种半导体元件，其宗旨在于具备：(a)第一电阻层；(b)第二电阻层，其与第一电阻层分离地设置，第二电阻层的电阻值与第一电阻层的电阻值不同；(c)第一外部连接电极，其电连接于第一电阻层的一端侧；(d)第二外部连接电极，其与第一外部连接电极分离地设置，电连接于第二电阻层的一端侧；以及(e)保护膜，其覆盖第一外部连接电极和第二外部连接电极，在保护膜的一部分具有使第一外部连接电极的上表面的一部分露出的第一开口部和使第二外部连接电极的上表面的一部分露出的第二开口部，其中，第一开口部的平面图案的形状与第二开口部的平面图案的形状互不相同。