[发明专利]半导体元件在审
申请号: | 202210915299.8 | 申请日: | 2022-08-01 |
公开(公告)号: | CN115832023A | 公开(公告)日: | 2023-03-21 |
发明(设计)人: | 狩野太一 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
主分类号: | H01L29/423 | 分类号: | H01L29/423;H01L29/06;H01L29/739;H01L29/78 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 元件 | ||
1.一种半导体元件,其特征在于,具备:
第一电阻层;
第二电阻层,其与所述第一电阻层分离地设置,所述第二电阻层的电阻值与所述第一电阻层的电阻值不同;
第一外部连接电极,其电连接于所述第一电阻层的一端侧;
第二外部连接电极,其与所述第一外部连接电极分离地设置,电连接于所述第二电阻层的一端侧;以及
保护膜,其覆盖所述第一外部连接电极和所述第二外部连接电极,在所述保护膜的一部分具有使所述第一外部连接电极的上表面的一部分露出的第一开口部和使所述第二外部连接电极的上表面的一部分露出的第二开口部,
其中,所述第一开口部的平面图案的形状与所述第二开口部的平面图案的形状互不相同。
2.根据权利要求1所述的半导体元件,其特征在于,
所述第一开口部的平面图案与所述第二开口部的平面图案关于内含所述第一外部连接电极和所述第二外部连接电极的区域的中心点呈非对称,且关于所述第一外部连接电极与所述第二外部连接电极之间的中心线呈非对称。
3.根据权利要求1或2所述的半导体元件,其特征在于,
所述第一开口部的平面图案和所述第二开口部的平面图案为矩形形状,所述第一开口部的对角长度与所述第二开口部的对角长度不同。
4.根据权利要求3所述的半导体元件,其特征在于,
所述第一开口部的对角长度与所述第二开口部的对角长度之差为50μm以上。
5.根据权利要求1或2所述的半导体元件,其特征在于,
在所述第一开口部和所述第二开口部中的至少一方的角部设置有凸部。
6.根据权利要求1~5中的任一项所述的半导体元件,其特征在于,还具备:
绝缘层,其设置在所述第一电阻层和所述第二电阻层下;
半导体基板,其设置在所述绝缘层下;
中继布线,其与所述第一电阻层及所述第二电阻层各自的另一端侧电连接,且与所述半导体基板进行欧姆连接;以及
相向电极,其设置在所述半导体基板下。
7.根据权利要求2所述的半导体元件,其特征在于,
所述中继布线的平面图案、所述第一外部连接电极的平面图案以及所述第二外部连接电极的平面图案关于所述中心点呈2次旋转对称,且关于所述中心线呈线对称。
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