[发明专利]具水平存取线的自选择存储器阵列

说明书

本申请案涉及具水平存取线的自选择存储器阵列。本发明描述用于具水平存取线的自选择存储器的方法、系统及装置。存储器阵列可包含在不同方向上延伸的第一存取线及第二存取线。举例来说，第一存取线可在第一方向上延伸，且第二存取线可在第二方向上延伸。在每一相交处，可存在多个存储器单元，且每一多个存储器单元可与自选择材料接触。此外，电介质材料可在至少一个方向上定位于第一多个存储器单元与第二多个存储器单元之间。每一单元群组(例如第一多个存储器单元及第二多个存储器单元)可分别与所述第一存取线及所述第二存取线中的一者接触。

分案申请的相关信息

本案是分案申请。该分案的母案是申请日为2019年02月22日、申请号为201980019827.8、发明名称为“具水平存取线的自选择存储器阵列”的发明专利申请案。

交叉参考

本专利申请案主张弗拉丁(Fratin)等人在2019年2月22日申请的标题为“具水平存取线的自选择存储器阵列(SELF-SELECTING MEMORY ARRAY WITH HORIZONTAL ACCESSLINES)”的第PCT/US19/19126号PCT申请案的优先权，该PCT申请案主张弗拉丁等人在2019年3月18日申请的标题为“具水平存取线的自选择存储器阵列”的第15/925,536号美国专利申请案的优先权，所述申请案中的每一者让与其受让人，并且所述申请案中的每一者的全部内容以引用的方式明确并入本文中。

技术领域

本技术领域涉及具水平存取线的自选择存储器阵列。

背景技术

下文大体上涉及形成存储器阵列且更具体来说，下文涉及具水平存取线的自选择存储器阵列。

存储器装置广泛用于将信息存储于例如计算机、无线通信装置、摄像机、数字显示器及其类似者的各种电子装置中。通过编程存储器装置的不同状态来存储信息。举例来说，二进制装置具有两个状态(通常由逻辑“1”或逻辑“0”表示)。在其它系统中，可存储两个以上状态。为存取存储信息，电子装置的组件可读取或感测存储器装置中的存储状态。为存储信息，电子装置的组件可写入或编程存储器装置中的状态。

存在各种类型的存储器装置，其包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻性RAM(RRAM)、闪存、相变存储器(PCM)等等。存储器装置可为易失性或非易失性的。非易失性存储器(例如FeRAM)可长时间维持其存储逻辑状态，即使缺少外部电源。易失性存储器装置(例如DRAM)会随时间推移损失其存储状态，除非其由外部电源周期性刷新。FeRAM可使用类似于易失性存储器的装置架构，但可归因于使用铁电电容器作为存储装置而具有非易失性性质。因此，与其它非易失性及易失性存储器装置相比，FeRAM装置可具有改进性能。

改进存储器装置一般可包含增大存储器单元密度、提高读取/写入速度、提高可靠性、增加数据保存、减少电力消耗或降低制造成本以及其它指标。存取操作可归因于位线与多个字线耦合而导致相邻选定存储器单元与未选定存储器单元之间的电压转移。此迁移可导致与存储器单元的后续读取相关的可靠性降低且在一些例子中可导致数据损失。

发明内容

描述一种存储器装置。在一些实例中，存储器装置可包含：多个第一存取线，其在第一方向上延伸；多个第二存取线，其在不同于所述第一方向的第二方向上延伸；第一多个存储器单元，其包括自选择材料，所述第一多个存储器单元与所述多个第二存取线的第一存取线接触；第二多个存储器单元，其包括所述自选择材料，所述第二多个存储器单元与所述多个第二存取线的第二存取线接触；及电介质材料，其介于所述第一多个存储器单元与所述第二多个存储器单元之间，所述第一多个存储器单元及所述第二多个存储器单元定位于所述第一存取线与所述第二存取线之间。