[发明专利]具水平存取线的自选择存储器阵列

权利要求书

1.一种存储器装置，其包括：

多个第一存取线；

多个第二存取线；

第一多个存储器单元，其与所述多个第二存取线中的第一者接触；

第二多个存储器单元，其与所述多个第二存取线中的第二者接触；及

电介质材料，其物理地介于所述第一多个存储器单元与所述第二多个存储器单元之间。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其进一步包括：

第一插塞，其与所述多个第二存取线中的所述第一者的第一端接触；及

第二插塞，其与所述多个第二存取线中的所述第一者的第二端接触。

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其进一步包括：

第三插塞，其与所述多个第二存取线中的所述第二者的第一端接触；及

第四插塞，其与所述多个第二存取线中的所述第二者的第二端接触，其中所述多个第二存取线中的所述第一者与所述多个第二存取线中的所述第二者隔离。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其进一步包括：

第二电介质材料，其定位于所述第一多个存储器单元中的第一存储器单元和所述第二多个存储器单元中的第一存储器单元的至少一部分上方，其中所述第二电介质材料不同于所述电介质材料。

5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一多个存储器单元和所述第二多个存储器单元位于所述多个第二存取线中的所述第一者与所述多个第二存取线中的所述第二者之间。

6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一多个存储器单元中的每一者和所述第二多个存储器单元中的每一者包括离散自选择存储器SSM单元。

7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中：

所述多个第一存取线的至少一部分在第一方向上延伸；

所述多个第二存取线的至少一部分在第二方向上延伸；及

所述电介质材料的至少一部分在平行于所述多个第一存取线的平面中延伸。

8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中：

所述多个第一存取线的至少一部分在水平方向上延伸；

所述多个第二存取线的至少一部分在垂直方向上延伸；及

所述电介质材料的至少一部分在平行于所述多个第一存取线的水平面中延伸。

9.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一多个存储器单元中的每一存储器单元与所述多个第一存取线中的相应存取线接触；及

所述第二多个存储器单元中的每一存储器单元与所述多个第一存取线中的相应存取线接触。

10.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述多个第二存取线中的每一存取线包括至少一个隔离区域。

11.一种形成存储器装置的方法，其包括：

形成包括第一电介质材料、第二电介质材料和第三电介质材料的堆叠；

从所述堆叠移除材料以在所述第一电介质材料、所述第二电介质材料和所述第三电介质材料中形成第一多个线；

从所述堆叠移除材料以在所述第一电介质材料中形成第二多个线；

形成多个第一存取线；及

沉积材料以形成与多个第二存取线中的至少一个存取线相邻的多个存储器单元，其中所述多个第二存取线与所述材料接触，且其中所述第一电介质材料物理地介于所述多个存储器单元的第一子集与所述多个存储器单元的第二子集之间。

12.根据权利要求11所述的方法，其进一步包括：

形成第一多个插塞，其中所述第一多个插塞中的每一者与所述多个第二存取线中的每一者的第一端相邻；及

形成第二多个插塞，其中所述第二多个插塞中的每一者与所述多个第二存取线中的每一者的第二端相邻。