[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、显示面板

说明书

本申请公开一种薄膜晶体管及其制造方法、显示面板，薄膜晶体管包括：保温层，保温层包括凹槽；结晶有源图案，结晶有源图案的至少部分位于凹槽中；源漏电极，包括间隔设置的源极和漏极，源极和漏极均与结晶有源图案连接；栅极，对应结晶有源图案设置。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制造方法、显示面板。

背景技术

目前，显示设备具有高频显示流畅性是用户的需求之一，高频显示流畅性要求薄膜晶体管具有高迁移率。然而，传统薄膜晶体管的迁移率无法满足高频显示流畅性的要求。

因此，有必要提出一种技术方案以提高薄膜晶体管的迁移率。

发明内容

本申请的目的在于提供一种薄膜晶体管及其制造方法、显示面板，有利于提高薄膜晶体管的迁移率。

为实现上述目的，技术方案如下：

一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：

保温层，所述保温层包括凹槽；

结晶有源图案，所述结晶有源图案的至少部分位于所述凹槽中；

源漏电极，包括间隔设置的源极和漏极，所述源极和所述漏极均与所述结晶有源图案连接；

栅极，对应所述结晶有源图案设置。

在一些实施例的薄膜晶体管中，沿垂直于所述保温层的厚度的方向，所述凹槽的开口尺寸小于或等于200纳米。

在一些实施例的薄膜晶体管中，所述结晶有源图案为单晶粒。

在一些实施例的薄膜晶体管中，沿垂直于所述保温层的厚度的方向，所述凹槽的开口尺寸大于200纳米。

在一些实施例的薄膜晶体管中，所述结晶有源图案位于所述凹槽中，所述结晶有源图案包括至少两个晶格，相邻两个所述晶格之间有晶界，所述晶界的延伸方向与所述结晶有源图案的延伸方向相同。

在一些实施例的薄膜晶体管中，所述凹槽的深度小于或等于所述保温层的厚度。

在一些实施例的薄膜晶体管中，所述保温层的厚度大于或等于3000埃且小于或等于10000埃。

一种薄膜晶体管的制造方法，所述方法包括如下步骤：

形成一保温层，所述保温层包括凹槽；

形成结晶有源图案，所述结晶有源图案的至少部分位于所述凹槽中；

形成源漏电极，所述源漏电极包括间隔设置的源极和漏极，所述源极和所述漏极均与结晶有源图案连接；以及

形成对应所述结晶有源图案设置的栅极。

在一些实施例的薄膜晶体管的制造方法中，所述形成结晶有源图案包括如下步骤：

至少于所述凹槽中形成非晶硅半导体层；

利用准分子激光退火工艺对所述非晶硅半导体层进行退火处理，得到结晶硅半导体层；

对所述结晶硅半导体层进行图案化处理，得到所述结晶有源图案。

一种显示面板，所述显示面板包括上述薄膜晶体管。

有益效果：本申请提供一种薄膜晶体管及其制造方法、显示面板，通过结晶有源图案的至少部分形成于保温层的凹槽中，保温层降低形成结晶有源图案结晶化过程中的降温速率，以增加结晶有源图案中的晶粒尺寸，提高薄膜晶体管的迁移率。

附图说明

图1为本申请一实施例薄膜晶体管的示意图；

图2为图1所示薄膜晶体管的平面示意图；