[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、显示面板在审
| 申请号： | 202210879512.4 | 申请日： | 2022-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN115188828A | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 杨从星;田超;艾飞 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/10;H01L27/12;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 张惠 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 显示 面板 | ||
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：
保温层，所述保温层包括凹槽；
结晶有源图案，所述结晶有源图案的至少部分位于所述凹槽中；
源漏电极，包括间隔设置的源极和漏极，所述源极和所述漏极均与所述结晶有源图案连接；
栅极，对应所述结晶有源图案设置。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，沿垂直于所述保温层的厚度的方向，所述凹槽的开口尺寸小于或等于200纳米。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述结晶有源图案为单晶粒。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，沿垂直于所述保温层的厚度的方向，所述凹槽的开口尺寸大于200纳米。
5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述结晶有源图案位于所述凹槽中，所述结晶有源图案包括至少两个晶格，相邻两个所述晶格之间有晶界，所述晶界的延伸方向与所述结晶有源图案的延伸方向相同。
6.根据权利要求1-5任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述凹槽的深度小于或等于所述保温层的厚度。
7.根据权利要求1-5任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述保温层的厚度大于或等于3000埃且小于或等于10000埃。
8.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
形成一保温层，所述保温层包括凹槽；
形成结晶有源图案，所述结晶有源图案的至少部分位于所述凹槽中；
形成源漏电极和栅极，所述源漏电极包括间隔设置的源极和漏极，所述源极和所述漏极均与所述结晶有源图案连接，栅极对应所述结晶有源图案设置。
9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述形成结晶有源图案包括如下步骤：
至少于所述凹槽中形成非晶硅半导体层；
利用准分子激光退火工艺对所述非晶硅半导体层进行退火处理，得到结晶硅半导体层；
对所述结晶硅半导体层进行图案化处理，得到所述结晶有源图案。
10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括如权利要求1-7任一项所述薄膜晶体管。
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