[发明专利]一种光伏电池及光伏电池的制造方法

说明书

本申请涉及一种光伏电池及光伏电池的制造方法，光伏电池包括基底，在基底的一侧包括依次堆叠的发射极和钝化层；发射极包括沿自身厚度方向层叠设置的第一平面和第二平面，第二平面与第一平面之间的部分发射极为第一掺杂层；在单位体积内，第二平面的掺杂浓度与第一平面的掺杂浓度的变化率ΔC₁满足：ΔC₁≤15%，降低了第一掺杂层沿厚度方向的掺杂浓度下降速度较快的风险，从而提升了第一掺杂层掺杂浓度的一致性，降低了第一掺杂层局部的掺杂浓度较低导致发射极与金属电极接触的电阻率较大的风险，有利于发射极与金属电极的电连接，提升了光伏电池的转化效率，并提升了光伏电池的工作稳定性。

技术领域

本申请涉及光伏电池技术领域，尤其涉及一种光伏电池及光伏电池的制造方法。

背景技术

光伏电池设置有选择性发射极，以提升光伏电池的工作效率。在选择性发射极制备过程中，将目标元素推入半导体基底的第一掺杂层中，同时目标元素在基底内部扩散至更深的第二掺杂层中，以实现对半导体基底的掺杂。现有技术通过单一波长的激光对基底掺杂，或通过后氧化工艺掺杂，导致第一掺杂层沿厚度方向的掺杂浓度下降速度快，使得第一掺杂层的局部浓度较低，从而降低了基底的电学性能。

发明内容

本申请提供了一种光伏电池，能够减小第一掺杂层的掺杂浓度变化速率。

本申请提供第一方面提供一种光伏电池，包括：

基底，在基底的一侧包括依次堆叠的发射极和钝化层；

发射极包括沿自身厚度方向层叠设置的第一平面和第二平面，第二平面与第一平面之间的部分发射极为第一掺杂层；

在单位体积内，第二平面的掺杂浓度与第一平面的掺杂浓度的变化率ΔC₁满足：ΔC₁≤15%。

在本申请中，ΔC₁≤15%，降低了第一掺杂层沿厚度方向的掺杂浓度下降速度较快的风险，从而提升了第一掺杂层掺杂浓度的一致性，降低了第一掺杂层局部的掺杂浓度较低导致发射极与金属电极接触的电阻率较大的风险，有利于发射极与金属电极的电连接，从而提升了光伏电池的转化效率，并进而提升了光伏电池的工作稳定性。

在一种可能的设计中，第二平面远离第一平面的一侧设置有第三平面，第三平面与第二平面之间的部分发射极为第二掺杂层；

第三平面的掺杂浓度与第二平面的掺杂浓度的变化率ΔC₂满足：ΔC₂≤30%。

在一种可能的设计中，第二平面与第一平面之间的距离H1满足：0.3μm≤H1≤0.35μm；

第三平面与第一平面之间的距离H2满足：0.5μm≤H2≤0.7μm。

在一种可能的设计中，在单位体积内，第二平面的第一位置的掺杂浓度与第二平面的第二位置的掺杂浓度的变化率ΔC₃满足：ΔC₃≤25%。

本申请第二方面提供一种光伏电池的制造方法，光伏电池为以上任一项所述的光伏电池，制造方法包括：

向基底内掺杂目标元素，以形成发射极；

在发射极的第一平面上制备钝化层。

在一种可能的设计中，第二平面远离第一平面的一侧设置有第三平面，向基底内掺杂目标元素的步骤包括：

在第一平面涂覆含有目标元素的掺杂试剂；

将第一激光穿过掺杂试剂射入第二平面，以使目标元素扩散至第一掺杂层和第二掺杂层；

将第二激光穿过掺杂试剂射入第三平面，以使第二掺杂层的目标元素扩散至第一掺杂层。