[发明专利]一种光伏电池及光伏电池的制造方法有效
| 申请号: | 202210874050.7 | 申请日: | 2022-07-25 |
| 公开(公告)号: | CN114975652B | 公开(公告)日: | 2022-12-23 |
| 发明(设计)人: | 于琨;刘长明;张昕宇;赵朋松;王东;周超 | 申请(专利权)人: | 浙江晶科能源有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0288 | 分类号: | H01L31/0288;H01L31/0352;H01L31/068;H01L31/18;H01L31/20 |
| 代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人: | 张维 |
| 地址: | 314416 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 电池 制造 方法 | ||
1.一种光伏电池,其特征在于,所述光伏电池包括:
基底(1),在所述基底的一侧包括依次堆叠的发射极和钝化层(11);
所述发射极包括沿自身厚度方向层叠设置的第一平面(12)和第二平面(13),所述第二平面(13)与所述第一平面(12)之间的部分所述发射极为第一掺杂层(15);
所述第二平面(13)远离所述第一平面(12)的一侧设置有第三平面(14),所述第三平面(14)与所述第二平面(13)之间的部分所述发射极为第二掺杂层(16);
在单位体积内,所述第二平面(13)的掺杂浓度与所述第一平面(12)的掺杂浓度的变化率为ΔC1,所述第三平面(14)的掺杂浓度与所述第二平面(13)的掺杂浓度的变化率ΔC2,ΔC1<ΔC2,且ΔC1≤15%,ΔC2≤30%;
所述第二平面(13)与所述第一平面(12)之间的距离H1满足:0.3μm≤H1≤0.35μm;
所述第三平面(14)与所述第一平面(12)之间的距离H2满足:0.5μm≤H2≤0.7μm。
2.根据权利要求1所述的光伏电池,其特征在于,在单位体积内,所述第二平面(13)的掺杂浓度的变化率ΔC3满足:ΔC3≤25%。
3.一种光伏电池的制造方法,所述光伏电池为权利要求1或2所述的光伏电池,其特征在于,所述制造方法包括:
向所述基底(1)内掺杂目标元素,以形成所述发射极;
在所述发射极的所述第一平面(12)上制备所述钝化层;
其中,向所述基底(1)内掺杂目标元素的步骤包括:
在所述第一平面(12)涂覆含有所述目标元素的掺杂试剂(2);
将第一激光(3)穿过所述掺杂试剂(2)射入所述第二平面(13),以使所述目标元素扩散至所述第一掺杂层(15)和所述第二掺杂层(16);
将第二激光(4)穿过所述掺杂试剂(2)射入所述第三平面(14),以使所述第二掺杂层(16)的所述目标元素扩散至所述第一掺杂层(15);
所述第一激光(3)的波长L1满足:300nm≤L1≤400nm,所述第二激光(4)的波长L2满足:400nm≤L2≤550nm,且L1<L2;
所述第一激光(3)的能量密度W1满足:0.4 J/cm2≤W1≤1.5 J/cm2,所述第二激光(4)的能量密度W2满足:0.6J/cm2≤W 2≤1.8 J/cm2。
4.根据权利要求3所述的光伏电池的制造方法,其特征在于,将第一激光(3)穿过所述掺杂试剂(2)射入所述第二平面(13),以使所述目标元素扩散至所述第一掺杂层(15)和所述第二掺杂层(16)的步骤具体包括:
所述第一激光(3)穿过所述掺杂试剂(2)、所述第一平面(12)射入所述第二平面(13),并产生高温;
所述目标元素被所述第一激光(3)推入所述第一掺杂层(15),并在所述第一激光(3)所产生的高温的驱动下扩散至所述第二掺杂层(16)。
5.根据权利要求3所述的光伏电池的制造方法,其特征在于,将第二激光(4)穿过所述掺杂试剂(2)射入所述第三平面(14),以使所述第二掺杂层(16)的所述目标元素扩散至所述第一掺杂层(15)的步骤具体包括:
所述第二激光(4)穿过所述掺杂试剂(2)、所述第一平面(12)、所述第二平面(13)射入所述第三平面(14),并产生高温;
所述目标元素在所述第二激光(4)所产生的高温的驱动下扩散至所述第一掺杂层(15)。
6.根据权利要求3所述的光伏电池的制造方法,其特征在于,所述掺杂目标元素的步骤之后,所述制造方法还包括:
清除所述第一平面(12)剩余的所述掺杂试剂(2)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江晶科能源有限公司,未经浙江晶科能源有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210874050.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





