[发明专利]粉末处理装置及粉末处理方法有效

专利信息
申请号: 202210852191.9 申请日: 2022-07-19
公开(公告)号: CN115142042B 公开(公告)日: 2023-05-05
发明(设计)人: 陈志嵩;左敏;赵昂璧;李翔 申请(专利权)人: 江苏微导纳米科技股份有限公司
主分类号: C23C16/44 分类号: C23C16/44;C23C16/455;C23C16/458
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 柳芳
地址: 214000 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 粉末 处理 装置 方法
【说明书】:

本申请公开了一种粉末处理装置及粉末处理方法,粉末处理装置包括:第一筒体,其壁面间隔设有多个进气口,用于向所述第一筒体内通入气体;第二筒体,位于第一筒体内,第一筒体的内壁和第二筒体的外壁之间形成第一腔体,第一腔体包括相对设置的第一端部和第二端部;第二筒体内壁内形成第二腔体,第二腔体包括相对设置的第三端部和第四端部,第一端部和第三端部相邻且连通设置,第二端部和第四端部相邻且连通设置;进气口和第一腔体连通;输运机构,位于第二腔体内,用于将第二腔体内的粉末从第四端部运送至第三端部,以使得位于所述第三端部的所述粉末通过所述第一端部进入所述第一腔体内。本申请提供的粉末处理装置,能够提高镀膜效率。

技术领域

本申请涉及真空镀膜技术领域,特别是涉及一种粉末处理装置及粉末处理方法。

背景技术

本部分的描述仅提供与本说明书公开相关的背景信息,而不构成现有技术。

粉体颗粒表面功能化是材料表面工程技术的重要组成部分,尤其对提高颗粒的原有性能具有重要意义。通过在粉体颗粒表面包覆层,即镀膜,可实现对粉体颗粒的表面功能化。现有技术中,一般采用机械搅拌融合法、化学溶液反应法、或气相反应法进行粉体镀膜。其中气相反应法主要包括原子层沉积法ALD、化学气相沉积法CVD、以及分子层沉积法MLD。

其中,采用原子层沉积法ALD的粉末表面包覆设备的膜厚均匀性及工艺可控性较好,性能优越,且膜厚可控制在纳米级别,在微粉行业优势尤为突出。目前采用原子层沉积法ALD的粉末表面包覆设备普遍采用固定腔体结构或可旋转腔体结构。

然而现有采用原子层沉积法ALD的粉末表面包覆设备的腔体结构设计较为简洁,大多数采用时间型控制结构,即在不同的时间段内向腔体内通入不同的气体,在同一时间段内向腔体内通入同一种气体。该设备的量产产能低、效率低。

应该注意,上面对技术背景的介绍只是为了方便对本说明书的技术方案进行清楚、完整的说明,并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本说明书的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。

发明内容

本申请主要解决的技术问题是提供一种粉末处理装置及粉末处理方法,能够提高镀膜效率。

为解决上述技术问题,本申请采用的一个技术方案是:提供一种粉末处理装置,包括:

第一筒体,所述第一筒体的壁面间隔设有多个进气口,用于向所述第一筒体内通入气体;

第二筒体,位于所述第一筒体内,所述第一筒体的内壁和所述第二筒体的外壁之间形成第一腔体,所述第一腔体包括相对设置的第一端部和第二端部;所述第二筒体内壁内形成第二腔体,所述第二腔体包括相对设置的第三端部和第四端部,所述第一端部和所述第三端部相邻且连通设置,所述第二端部和所述第四端部相邻且连通设置;所述进气口和所述第一腔体连通;

输运机构,位于所述第二腔体内,用于将所述第二腔体内的粉末从所述第四端部运送至所述第三端部,以使得位于所述第三端部的所述粉末通过所述第一端部进入所述第一腔体内。

进一步地,所述第一筒体和所述第二筒体沿竖直方向延伸。

进一步地,多个所述进气口沿所述第一筒体的轴线方向间隔设置。

进一步地,所述第一腔体内设置有与所述第一腔体的轴线方向相交的至少一个斜面,所述粉末能在所述第一腔体内从所述第一端部沿所述斜面形成的路径运动至所述第二端部。

进一步地,所述斜面包括间隔设置的第一斜板和第二斜板,所述第一斜板与所述第一筒体的内壁相连,所述第二斜板与所述第二筒体的外壁相连,每个所述第一斜板和第二斜板均对应一个所述进气口。

进一步地,所述第一斜板和所述第一筒体的内壁围成第一隔腔,所述第二斜板和所述第二筒体的外壁围成第二隔腔;在所述第一腔体的轴向上,所述第一隔腔和所述第二隔腔间隔设置。

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