[发明专利]一种增加DCB铜厚的方法

说明书

本发明提供了一种增加DCB铜厚的方法，本发明中根据覆铜陶瓷基板所需DCB铜片的厚度，设计若干种厚度组合方式，根据厚度组合方式准备对应厚度的铜片，将铜片进行干法热氧化预处理，在铜片底部氧化形成单面氧化的铜片，再将单面氧化的铜片和瓷片堆叠烧结，得到增厚铜片，增厚厚度为0.4mm、0.45mm、0.5mm、0.55mm、0.6mm等，通过将所需增厚铜片进行计算分解、铜片预氧化、铜片瓷片堆叠烧结的工艺流程，得到的增厚DCB产品精准度高，工作性能与定制铜厚覆铜陶瓷基板一致，避免了生产特定铜厚产品成本过高导致亏损的情况，同时简单有效解决了非常规铜厚产品的供货需求问题。

技术领域

本发明涉及覆铜陶瓷基板制备技术领域，具体为一种增加DCB铜厚的方法。

背景技术

覆铜陶瓷基板主要用作半导体芯片的衬板，覆铜陶瓷基板制备时，需将铜片和陶瓷片经焊料烧结使彼此连接，在实际生产过程中，常规工艺直接采购规定厚度的铜卷进行裁切、氧化、烧结，但是由于特定铜厚的覆铜陶瓷基板需求量不高或者供应商工艺的难题，导致一些厚度的铜片经常供应不足。

同时，常规使用焊料烧结连接的覆铜陶瓷基板，由于焊料无法精准用量导致覆铜陶瓷基板最终厚度精确度不高，导致无法满足客户需求，对于特定铜厚的覆铜陶瓷基板若量产则资源过剩，若小批制造则成本过高，急需一种成本小、易操作、易获得的增加DCB铜厚的办法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种增加DCB铜厚的方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

为了解决上述技术问题，本发明提供如下技术方案：

一种增加DCB铜厚的方法，其特征在于：具体为以下步骤：

S1)根据覆铜陶瓷基板所需DCB铜片的厚度，设计若干种厚度组合方式，根据厚度组合方式准备对应厚度的铜片；

S2)取步骤S1)准备的铜片，分别进行底面热氧化预处理，得到单面氧化的铜片；

S3)取步骤S2)处理的铜片，堆叠放置，堆叠时上方铜片的氧化面与下方铜片未被氧化面接触，形成DCB铜片，再将DCB铜片置于陶瓷片上方叠放，DCB铜片的氧化面与瓷片上表面接触，然后烧结，得到产品覆铜陶瓷基板。

进一步地，当DCB铜片厚度为0.4mm时，厚度组合方式为两片0.2mm铜片堆叠复合；

当DCB铜片厚度为0.45mm时，厚度组合方式为0.2mm铜片与0.25mm铜片堆叠复合；

当DCB铜片厚度为0.5mm时，厚度组合方式为0.2mm铜片与0.3mm铜片堆叠复合或两片0.25mm铜片堆叠复合；

当DCB铜片厚度为0.55mm时，厚度组合方式为0.25mm铜片与0.25mm铜片堆叠复合；

当DCB铜片厚度为0.6mm时，厚度组合方式为两片0.3mm铜片堆叠复合。

进一步地，退火炉中设有11个温区，其中温区1的温度为510℃，温区2的温度为690℃，温区3的温度为790℃，温区4的温度为800℃，温区5的温度为800℃，温区6的温度为800℃，温区7的温度为800℃，温区8的温度为800℃，温区9的温度为720℃，温区10的温度为660℃，温区11的温度为640℃。

进一步地，步骤(2)中，底面热氧化预处理时，进口区氮气流量为55～65L/min，温区1上方的氮气流量为8～12L/min，温区2上方的氮气流量为8～12L/min，温区3上方的氮气流量为3～7L/min，温区4、温区5、温区6、温区7、温区8、温区9、温区10、温区11氮气流量为60～100L/min，冷却区氮气流量为25～45L/min，出口区氮气流量为50～60L/min。

进一步地，步骤(2)中，将铜片移入退火炉中进行底面热氧化预处理，底面在氮气、氧气混合氛围中氧化，氧化温度为500～800℃。