[发明专利]一种增加DCB铜厚的方法

权利要求书

1.一种增加DCB铜厚的方法，其特征在于：具体为以下步骤：

S1)根据覆铜陶瓷基板所需DCB铜片的厚度，设计若干种厚度组合方式，根据厚度组合方式准备对应厚度的铜片；

S2)取步骤S1)准备的铜片，分别进行底面热氧化预处理，得到单面氧化的铜片(1)；

S3)取步骤S2)处理的铜片(1)，堆叠放置，堆叠时上方铜片(1)的氧化面与下方铜片(1)的未被氧化面接触，形成DCB铜片，再将DCB铜片置于瓷片(2)上方叠放，DCB铜片的氧化面与瓷片(2)上表面接触，然后烧结，得到产品覆铜陶瓷基板。

2.根据权利要求1所述的一种增加DCB铜厚的方法，其特征在于：当DCB铜片厚度为0.4mm时，厚度组合方式为两片0.2mm铜片堆叠复合；

当DCB铜片厚度为0.45mm时，厚度组合方式为0.2mm铜片与0.25mm铜片堆叠复合；

当DCB铜片厚度为0.5mm时，厚度组合方式为0.2mm铜片与0.3mm铜片堆叠复合或两片0.25mm铜片堆叠复合；

当DCB铜片厚度为0.55mm时，厚度组合方式为0.25mm铜片与0.25mm铜片堆叠复合；

当DCB铜片厚度为0.6mm时，厚度组合方式为两片0.3mm铜片堆叠复合。

3.根据权利要求1所述的一种增加DCB铜厚的方法，其特征在于：退火炉中设有11个温区，其中温区1的温度为510℃，温区2的温度为690℃，温区3的温度为790℃，温区4的温度为800℃，温区5的温度为800℃，温区6的温度为800℃，温区7的温度为800℃，温区8的温度为800℃，温区9的温度为720℃，温区10的温度为660℃，温区11的温度为640℃。

4.根据权利要求1所述的一种增加DCB铜厚的方法，其特征在于：步骤(2)中，底面热氧化预处理时，进口区氮气流量为55～65L/min，温区1上方的氮气流量为8～12L/min，温区2上方的氮气流量为8～12L/min，温区3上方的氮气流量为3～7L/min，温区4、温区5、温区6、温区7、温区8、温区9、温区10、温区11氮气流量为60～100L/min，冷却区氮气流量为25～45L/min，出口区氮气流量为50～60L/min。

5.根据权利要求1所述的一种增加DCB铜厚的方法，其特征在于：步骤(2)中，将铜片移入退火炉中进行底面热氧化预处理，底面在氮气、氧气混合氛围中氧化，氧化温度为500～800℃。

6.根据权利要求1所述的一种增加DCB铜厚的方法，其特征在于：底面热氧化时，氧气浓度为1200～1300ppm，其中，温区1下方的氮气流量为33～37L/min，温区2下方的氮气流量为33～37L/min，温区3下方的氮气流量为28～32L/min。

7.根据权利要求1所述的一种增加DCB铜厚的方法，其特征在于：退火炉空气排气流量为4～6L/min。

8.根据权利要求1所述的一种增加DCB铜厚的方法，其特征在于：步骤(3)中，烧结温度为1065～1083℃，烧结时间为9～13min。