[发明专利]显示装置和制造显示装置的方法在审
申请号: | 202210840822.5 | 申请日: | 2022-07-18 |
公开(公告)号: | CN115863349A | 公开(公告)日: | 2023-03-28 |
发明(设计)人: | 朴埈亨;金炅民;金东源;徐智娫 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H10K59/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京金宏来专利代理事务所(特殊普通合伙) 11641 | 代理人: | 李子光 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 制造 方法 | ||
提供了显示装置和制造显示装置的方法。显示装置包括:衬底,具有基底和从基底突出的突出图案;第一平坦化层,位于突出图案上并且包括第一表面、第二表面和连接第一表面与第二表面的侧表面;以及坝结构,位于第一平坦化层上并且包括第一子坝和第二子坝,其中,由第一平坦化层的第二表面与第一平坦化层的每个侧表面形成的第一角度在30度至60度的范围内。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年9月24日提交到韩国知识产权局的第10-2021-0126046号韩国专利申请的优先权及权益,该韩国专利申请的全部公开内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开的一些实施方式的各方面涉及显示装置和制造显示装置的方法。
背景技术
随着信息社会发展,消费者对用于显示图像的显示装置的需求随着时间增加,并且显示装置越来越频繁地并入到各种电子装置中。例如,显示装置可应用或并入到诸如智能电话、数码相机、笔记本计算机、导航装置和智能电视机的各种电子装置中。
作为显示装置,可使用诸如液晶显示装置和有机发光显示装置的各种类型的显示装置。在这些显示装置之中,有机发光显示装置使用有机发光元件来显示图像,而有机发光元件通过电子与空穴的复合来生成光。有机发光显示装置包括向有机发光元件提供驱动电流的多个晶体管。
由于显示装置应用于各种电子装置,因此取决于电子装置的设计和应用,可利用具有各种设计的显示装置。例如,显示装置不仅可在前部上显示图像,而且可在分别从前部的四个边缘弯曲的弯曲部和位于弯曲部之间的拐角部上显示图像。
在本背景技术部分中所公开的以上信息仅用于增强对背景的理解,并且因此本背景技术部分中讨论的信息并不一定构成现有技术。
发明内容
本公开的一些实施方式的各方面包括具有相对提高的可靠性的显示装置。
然而,本公开的实施方式的各方面不限于本文中所阐述的方面。通过参照下面给出的本公开的详细描述,本公开的以上和其它方面对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更加显而易见。
根据本公开的一些实施方式,显示装置包括:衬底,包括基底和从基底突出的突出图案;第一平坦化层,位于突出图案上并且包括第一表面、第二表面和连接第一表面与第二表面的侧表面;以及坝结构,位于第一平坦化层上并且包括第一子坝和第二子坝,其中,由第一平坦化层的第二表面与第一平坦化层的每个侧表面形成的第一角度在30度至60度的范围内。
根据本公开的一些实施方式,显示装置包括:衬底,包括基底和从基底突出的突出图案;第一平坦化层,位于衬底上并且包括第一表面、第二表面和连接第一表面与第二表面的侧表面;位于基底上的多个第一像素;以及位于突出图案上的多个第二像素,其中,由第一平坦化层的第二表面与第一平坦化层的每个侧表面形成的第一角度在30度至60度的范围内。
根据本公开的一些实施方式,制造显示装置的方法包括:制备衬底、位于衬底上的第一平坦化层、位于第一平坦化层上的第二平坦化层、位于第二平坦化层上并且暴露第一区域中的第二平坦化层的阻挡材料层、以及位于阻挡材料层上并且暴露第二区域和第三区域中的阻挡材料层的掩模图案;以及通过蚀刻第一区域中的第二平坦化层、第一平坦化层和衬底来形成切割部,其中,第二区域暴露阻挡材料层的第一表面和侧表面,并且第三区域暴露阻挡材料层的第一表面。
下面在详细描述中描述并且在附图中示出根据本公开的一些实施方式的进一步细节。
根据本公开的一些实施方式,可提高显示装置的可靠性。
根据本公开的实施方式的效果不限于上述效果,并且各种其它效果包括在本说明书中。
附图说明
通过结合附图而作出的实施方式的以下描述,这些和/或其它方面将变得更加明确和更容易理解,在附图中:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的