[发明专利]显示装置和制造显示装置的方法在审
申请号: | 202210840822.5 | 申请日: | 2022-07-18 |
公开(公告)号: | CN115863349A | 公开(公告)日: | 2023-03-28 |
发明(设计)人: | 朴埈亨;金炅民;金东源;徐智娫 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H10K59/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京金宏来专利代理事务所(特殊普通合伙) 11641 | 代理人: | 李子光 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 制造 方法 | ||
1.一种显示装置,包括:
衬底,所述衬底具有基底和从所述基底突出的突出图案;
第一平坦化层,所述第一平坦化层位于所述突出图案上,并且包括第一表面、第二表面和连接所述第一表面与所述第二表面的侧表面;以及
坝结构,所述坝结构位于所述第一平坦化层上,并且包括第一子坝和第二子坝,
其中,由所述第一平坦化层的所述第二表面与所述第一平坦化层的每个所述侧表面形成的第一角度在30度至60度的范围内。
2.如权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一子坝包括第一表面、第二表面、连接所述第一子坝的所述第一表面与所述第一子坝的所述第二表面并且面对所述突出图案的内部的内侧表面以及连接所述第一子坝的所述第一表面与所述第一子坝的所述第二表面并且面对所述突出图案的外部的外侧表面,其中,由所述第一子坝的所述第二表面与所述第一子坝的每个所述内侧表面形成的第二角度在30度至60度的范围内。
3.如权利要求2所述的显示装置,其中,所述第一角度和所述第二角度相同。
4.如权利要求1所述的显示装置,还包括:
第二平坦化层,所述第二平坦化层位于所述第一平坦化层上;
阻挡层,所述阻挡层位于所述第二平坦化层上;以及
凹陷图案,所述凹陷图案由所述第二平坦化层的侧表面和所述坝结构的所述第一子坝的侧表面来限定,
其中,所述第一子坝的所述侧表面面对所述第二平坦化层的所述侧表面。
5.如权利要求4所述的显示装置,还包括蚀刻停止图案,所述蚀刻停止图案位于所述第一平坦化层与所述第二平坦化层之间并且被所述凹陷图案暴露。
6.如权利要求4所述的显示装置,其中,所述坝结构的所述第一子坝包括与所述第二平坦化层的材料相同的材料,并且所述坝结构的所述第二子坝包括与所述阻挡层的材料相同的材料。
7.如权利要求4所述的显示装置,还包括:
像素电极,所述像素电极位于所述阻挡层上;
有机层,所述有机层位于所述像素电极上;以及
虚拟有机层,所述虚拟有机层位于所述凹陷图案中,
其中,所述虚拟有机层包括与所述有机层的材料相同的材料并且与所述有机层分离。
8.如权利要求1所述的显示装置,其中,所述衬底包括第一表面、第二表面和连接所述衬底的所述第一表面与所述衬底的所述第二表面的侧表面,其中,由所述衬底的所述第二表面与所述衬底的每个所述侧表面形成的第三角度大于所述第一角度。
9.如权利要求8所述的显示装置,还包括缓冲层,所述缓冲层位于所述衬底与所述第一平坦化层之间,
其中,所述坝结构的所述第二子坝的每个侧表面从所述第一子坝的第一表面与所述第一子坝的侧表面相遇的拐角向外突出第一距离,
其中,所述缓冲层的每个侧表面从所述衬底的所述第一表面与所述衬底的所述侧表面相遇的拐角向外突出第二距离,以及
其中,所述第一距离大于所述第二距离。
10.如权利要求1所述的显示装置,其中,所述衬底还包括第一子衬底、位于所述第一子衬底上的衬底阻挡层和位于所述衬底阻挡层上的第二子衬底,
其中,所述第一子衬底包括第一表面、第二表面和连接所述第一子衬底的所述第一表面与所述第一子衬底的所述第二表面的侧表面,
其中,所述第二子衬底包括第一表面、第二表面和连接所述第二子衬底的所述第一表面与所述第二子衬底的所述第二表面的侧表面,
其中,由所述第一子衬底的所述第二表面与所述第一子衬底的每个所述侧表面形成的第四角度大于由所述第二子衬底的所述第二表面与所述第二子衬底的每个所述侧表面形成的第五角度。
11.如权利要求10所述的显示装置,其中,所述第四角度和所述第五角度大于所述第一角度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的