[发明专利]一种半导体器件用的散热器及散热方法在审
| 申请号: | 202210834583.2 | 申请日: | 2022-07-14 |
| 公开(公告)号: | CN115334830A | 公开(公告)日: | 2022-11-11 |
| 发明(设计)人: | 冯健;余占清;屈鲁;曾嵘;甘之正;严鑫 | 申请(专利权)人: | 清华大学;清华四川能源互联网研究院 |
| 主分类号: | H05K7/20 | 分类号: | H05K7/20 |
| 代理公司: | 北京知联天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11594 | 代理人: | 张迎新 |
| 地址: | 10008*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 半导体器件 散热器 散热 方法 | ||
本发明提供一种半导体器件用的散热器及散热方法,所述散热器包括连接体,所述连接体上设有连接端以及散热通道,其中,所述连接端,用于与半导体器件连接;所述散热通道,用于为冷却液的自然循环提供通道,以实现冷却半导体器件。本发明的散热器散热效果较好。
技术领域
本发明属于半导体器件散热技术领域,特别涉及一种半导体器件用的散热器及散热方法。
背景技术
随着电力电子技术的发展,高压大功率电力电子器件(在直流输配电领域,通常为反向不重复峰值电压1000V以上,通态平均电流1000A以上的电力电子器件都统称为高压大功率器件)技术越来越成熟,电力电子器件技术性能越来越稳定,尤其是基于半控器件为核心的晶闸管器件,多级串联已经成熟运用于超高压、特高压直流输电系统中;基于全控器件的压接式IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)、IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor,电子注入增强栅晶体管)、IGCT(IntegratedGate-Commutated Thyristor,集成门极换流晶闸管)器件已成功应用于多个高压、特高压柔性直流输电系统中。
随着技术的发展,以电力电子器件为核心的直流电网将成为未来能源互联网的重要组成部分。且随着电网的发展,对电力电子装备电压等级和容量的要求不断提高,增加电力电子器件串联级数和提升通流能力是不可或缺的技术手段。电力电子器件导通直流电流,使得导通阻抗产生损耗,引起电力电子器件内部产生热量。为避免电力电子器件内部因过热而损坏,需要及时将电力电子器件产生的热量传导出去。
目前,用于压接式半导体器件的散热器,一般为水冷散热器,其散热原理为:在散热器内部设计循环冷却管道,通过在管道内循环去离子冷却水,带走半导体器件产生的热量。若采用传统的压接式水冷散热器,与半导体器件压接在一起整体浸没在绝缘液体中,接触面积小,散热效率低,无法满足大功率器件的散热应用需求。
因此,需要设计一种半导体器件用的散热器及散热方法,以解决上述技术问题。
发明内容
针对上述问题,本发明提供了一种半导体器件用的散热器,
所述散热器包括连接体,所述连接体上设有连接端以及散热通道,其中,
所述连接端,用于与半导体器件连接;
所述散热通道,用于为冷却液的自然循环提供通道,以实现冷却半导体器件。
进一步地,
所述连接体上设有两个主面以及四个侧面,其中,
四个所述侧面依次连接,每两个相邻的两个侧面之间相互垂直;
每个所述侧面均与两个主面垂直。
进一步地,
四个所述侧面分别为第一侧面、第二侧面、第三侧面以及第四侧面;
两个主面相对设置,第一侧面与第三侧面相对设置,第二侧面与第四侧面相对设置。
进一步地,
所述散热通道贯穿连接体,所述散热通道的两端分别延伸至第一侧面和第三侧面。
进一步地,
所述连接端的数量为一个,一个所述连接端设于所述连接体任意一个主面上。
进一步地,
所述连接端的数量为两个,两个所述连接端分别设于两个主面上。
进一步地,
所述连接端为圆柱状,所述连接端的端面直径为d;
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