[发明专利]强电磁脉冲环境下可检测弱小目标的双舱型光电探测系统

说明书

强电磁脉冲环境下可检测弱小目标的双舱型光电探测系统，属于光电对抗及预警探测领域，包括成像光学镜组、屏蔽光学窗口、截止波导管、截止格栅、光学探测器和DSP图像识别处理器；屏蔽光学窗口、截止波导管、截止格栅、光学探测器像面均与主光轴成90度；光学探测器像面中心与主光轴重合；入射光依次经成像光学镜组、屏蔽光学窗口、截止波导管、截止格栅和光学探测器进入DSP图像识别处理器。本发明采用双舱型设计，解决了传统光学探测系统在不低于800KV/m的强电磁脉冲使用环境下因受到毁伤或者干扰而不能成像或对弱小目标无法探测的问题，实现强电磁脉冲等复杂环境下抑制背景和检测弱小目标的目的，提升了光电探测系统的使用效能。

技术领域

本发明属于光电对抗及预警探测技术领域，具体涉及一种强电磁脉冲环境下可检测弱小目标的双舱型光电探测系统。

背景技术

光电系统想发挥其使用效能，必须要抗住微波系统的强辐射才能与其协同使用。目前现有光电探测系统抗强电磁设计存在以下问题：

一、传统设计是在光电探测系统入瞳玻璃的最前端进行镀强电磁屏蔽膜，如公开号为CN113411479A的中国专利《一种用于真空、低温、强电磁场环境的摄像装置》所公开的一种摄像装置，该装置的设计可在一定程度上衰减电磁波的部分强度（按照常规前端镀强电磁屏蔽膜衰减效果为20dB，一般阈值为2KV/m）下可以成像，但是超过屏蔽阈值，需要增加电磁屏蔽膜层网格栅的密集程度，导致光学透过率大幅下降，弱小目标无法成像。

二、在强电磁脉冲环境下，一般会考虑传输屏蔽，通常进行电光转换，转化成光信号进行光纤传输，或是通过接地处理，组合各种过频段的滤波器滤除有限的电磁噪声，但是强电磁脉冲（不低于800KV/m）会在电信号转换成光信号之前就通过辐射、有线传导、接地耦合进行传到探测器或电子学系统，进行毁伤或降低信噪比，后端的信号处理根本无法生成多帧图像序列，无法对弱小目标进行成像、探测、跟踪与识别，如公开号为CN213545019U的中国专利《一种光学结构电磁屏蔽窗口及检测控制系统》，采取将透过电磁波、反射入射光的设计思路，这种设计在理想电磁波和光波水平射入时起到一定效果，但是实际入射干扰电磁波是四面八方来向，而且对于这种镀膜工艺提出了很高的要求，因此电磁波衰减率只能达到19dB，若想要达到更好的屏蔽效能，只能通过多组透过电磁波、反射入射光的组镜进行衰减，导致光学设计体积过大，总光学透过率下降，无法对弱小目标进行探测识别。

据了解在本发明之前，国内没有相关可以在强电磁脉冲环境下（不低于800KV/m）探测弱小目标的光电探测系统的报道。

发明内容

为了提高在强电磁脉冲环境下光电跟踪系统的使用效能，实时有效的得到图像信息，并对弱小目标进行探测识别，本发明提供一种强电磁脉冲环境下可检测弱小目标的双舱型光电探测系统。

为了实现上述目的，本发明采用以下技术方案：

本发明的强电磁脉冲环境下可检测弱小目标的双舱型光电探测系统，包括：成像光学镜组、屏蔽光学窗口、截止波导管、截止格栅、光学探测器和DSP图像识别处理器；所述屏蔽光学窗口、截止波导管、截止格栅、光学探测器像面均与系统主光轴成90度设置；所述光学探测器像面中心与系统主光轴重合；入射光线依次经成像光学镜组、屏蔽光学窗口、截止波导管、截止格栅和光学探测器后进入DSP图像识别处理器。

进一步的，还包括：遮光罩、光学舱和电子舱；所述光学舱和电子舱均设置在遮光罩内部，所述成像光学镜组设置在光学舱内部，所述屏蔽光学窗口设置在光学舱和电子舱的物理分界处，所述截止波导管、截止格栅、光学探测器和DSP图像识别处理器均设置在电子舱中。

进一步的，所述遮光罩经导电氧化处理后，用黑色丙烯酸聚氨酯无光漆进行喷漆处理；所述光学舱和电子舱均采用镀镍铝性材料制作；所述光学舱和电子舱均采用模压一体式金属导电密封圈进行填充。