[发明专利]一种背结太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 202210816392.3 | 申请日: | 2022-07-12 |
公开(公告)号: | CN115020525A | 公开(公告)日: | 2022-09-06 |
发明(设计)人: | 蒋秀林;陈斌;单伟 | 申请(专利权)人: | 晶澳(扬州)太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/068 | 分类号: | H01L31/068;H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 冯亚娥;杨倩 |
地址: | 225131 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
本发明公开了一种背结太阳能电池及其制备方法。该背结太阳能电池包括:P型硅基体;由内至外顺次层叠设置于P型硅基体的第一主表面上的隧穿氧化层、N型掺杂硅层以及第一钝化减反层;贯穿第一钝化减反层,与N型掺杂硅层电连接的背面电极;设置于P型硅基体的第二主表面上的第III族元素形成的P+局部前表面场和第III族元素形成的正面电极,其中,正面电极与局部前表面场连接,且局部前表面场的位置与正面电极的位置相对应;形成于P型硅基体的第二主表面上未设置正面电极的区域以及正面电极正面、侧面的第二钝化减反层。该背结太阳能电池有效地提高光电转换效率。
技术领域
本发明涉及一种背结太阳能电池及其制备方法。
背景技术
目前,为了克服太阳能电池的受光面设置的掺杂硅层复合太阳能电池产生的电子-空穴对以及其对太阳能电池吸收入射光的影响,同时,为了克服高温或激光开槽制备背表面场对太阳能电池性能的影响,提供一种具有前表面场的背结太阳能电池。
现有的背结太阳能电池的前表面场是通过烧结方式使设置于钝化减反层上的金属铝浆烧穿太阳能电池正面设置的钝化层和钝化减反层,然后该金属铝浆与硅基体进行掺杂反应,形成铝掺杂的局部前表面场以及与该局部前表面场连接的正面电极。现有的这种背结太阳能电池在前表面场和正面电极形成过程中会破坏,太阳能电池正面设置的钝化层和钝化减反层,影响减反和钝化效果,造成短路电流以及开路电压降低,导致太阳能电池的光电转化率下降。
发明内容
有鉴于此,本发明所要解决的技术问题在于,提供一种背结太阳能电池及其制备方法,该背结太阳能电池由于在P型硅基体的第二主表面上未设置正面电极的区域以及正面电极正面、侧面形成第二钝化减反层,避免正面电极对太阳能电池正面的钝化减反层的破坏,以有效地提高太阳能电池正面的减反射效果以及钝化效果,提高短路电流以及开路电压,从而有效地提高太阳能电池的光电转换效率。
为了解决上述技术问题,本发明提供以下技术方案:
第一方面,本发明提供一种背结太阳能电池,包括:
P型硅基体;
由内至外顺次层叠设置于所述P型硅基体的第一主表面上的隧穿氧化层、N型掺杂硅层以及第一钝化减反层;
贯穿所述第一钝化减反层,与所述N型掺杂硅层电连接的背面电极;
设置于所述P型硅基体的第二主表面上的第III族元素形成的P+局部前表面场和第III族元素形成的正面电极,其中,所述正面电极与所述局部前表面场连接,且所述局部前表面场的位置与所述正面电极的位置相对应;
形成于所述P型硅基体的第二主表面上未设置所述正面电极的区域以及所述正面电极正面、侧面的第二钝化减反层。
第二方面,本发明实施例提供上述第一方面实施例提供的背结太阳能电池的制备方法,包括:
步骤S1、在P型硅基体的第一主表面形成隧穿氧化层;
步骤S2、在所述隧穿氧化层上形成N型掺杂硅层;
步骤S3、利用第III族元素,在所述P型硅基体的第二主表面形成正面电极;
步骤S4、在所述N型掺杂硅层上形成第一钝化减反层,并在所述P型硅基体的第二主表面上未设置所述正面电极的区域以及所述正面电极正面、侧面形成第二钝化减反层;
步骤S5、在所述第一钝化减反层上印刷背面电极;
步骤S6、烧结工序,以使所述正面电极的第III族元素与所述P型硅基体的部分区域进行掺杂反应形成局部P+前表面场,并使所述背面电极烧穿所述第一钝化减反层,以形成所述背面电极与所述N型掺杂硅层电连接的结构。
第三方面,本发明实施例提供一种光伏组件,包括:由上述第一方面实施例提供的背结太阳能电池制成的电池片。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶澳(扬州)太阳能科技有限公司,未经晶澳(扬州)太阳能科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210816392.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种激光扫描系统
- 下一篇:一种高寒半干旱风蚀沙化土地育苗造林方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的