[发明专利]一种背结太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 202210816392.3 | 申请日: | 2022-07-12 |
公开(公告)号: | CN115020525A | 公开(公告)日: | 2022-09-06 |
发明(设计)人: | 蒋秀林;陈斌;单伟 | 申请(专利权)人: | 晶澳(扬州)太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/068 | 分类号: | H01L31/068;H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 冯亚娥;杨倩 |
地址: | 225131 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种背结太阳能电池,其特征在于,包括:
P型硅基体(1);
由内至外顺次层叠设置于所述P型硅基体(1)的第一主表面上的隧穿氧化层(2)、N型掺杂硅层(3)以及第一钝化减反层(4);
贯穿所述第一钝化减反层(4),与所述N型掺杂硅层(3)电连接的背面电极(5);
设置于所述P型硅基体(1)的第二主表面上的第III族元素形成的P+局部前表面场(6)和第III族元素形成的正面电极(7),其中,所述正面电极(7)与所述局部前表面场(6)连接,且所述局部前表面场(6)的位置与所述正面电极(7)的位置相对应;
形成于所述P型硅基体(1)的第二主表面上未设置所述正面电极(7)的区域以及所述正面电极(7)正面、侧面的第二钝化减反层(8)。
2.根据权利要求1所述的背结太阳能电池,其特征在于,还包括:
贯穿所述第二钝化减反层(8),与所述正面电极(7)电连接的正面焊盘(9)。
3.根据权利要求1所述的背结太阳能电池,其特征在于,所述正面电极(7)包括:多条细栅(71)以及与所述多条细栅(71)交叉设置的多条主栅(72),其中,
每一条所述细栅(71)和每一条所述主栅(72)分别对应有各自的局部前表面场(6);
每一条所述细栅(71)和每一条所述主栅(72)分别与其对应的所述局部前表面场(6)连接。
4.根据权利要求1或3所述的背结太阳能电池,其特征在于,
所述局部前表面场(6)由其所对应的正面电极(7)的第III族元素掺杂到所述P型硅基体(1)部分区域形成。
5.根据权利要求3所述的背结太阳能电池,其特征在于,
所述正面焊盘(9)与所述主栅(72)电连接。
6.根据权利要求3所述的背结太阳能电池,其特征在于,
多条所述细栅(71)和多条所述主栅(72)通过物理沉积纯金属铝形成。
7.根据权利要求1或5所述的背结太阳能电池,其特征在于,
所述正面焊盘(9)为银制焊盘。
8.根据权利要求7所述的背结太阳能电池,其特征在于,还包括:
设置于所述正面电极(7)与所述正面焊盘(9)之间的金属镍阻挡层(10)。
9.根据权利要求1、3、6以及8中任一项所述的背结太阳能电池,其特征在于,
所述正面电极(7)包括的细栅(71)的条数小于所述背面电极(5)包括细栅的条数。
10.权利要求1至9任一所述背结太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括:
步骤S1、在P型硅基体(1)的第一主表面形成隧穿氧化层(2);
步骤S2、在所述隧穿氧化层(2)上形成N型掺杂硅层(3);
步骤S3、利用第III族元素,在所述P型硅基体(1)的第二主表面形成正面电极(7);
步骤S4、在所述N型掺杂硅层(3)上形成第一钝化减反层(4),并在所述P型硅基体(1)的第二主表面上未设置所述正面电极(7)的区域以及所述正面电极(7)正面、侧面形成第二钝化减反层(8);
步骤S5、在所述第一钝化减反层(4)上印刷背面电极(5);
步骤S6、烧结工序,以使所述正面电极的第III族元素与所述P型硅基体(1)的部分区域进行掺杂反应形成局部P+前表面场(6),并使所述背面电极(5)烧穿所述第一钝化减反层(4),以形成所述背面电极(5)与所述N型掺杂硅层(3)电连接的结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的