[发明专利]一种晶圆定位夹紧组件有效
申请号: | 202210808668.3 | 申请日: | 2022-07-11 |
公开(公告)号: | CN114899139B | 公开(公告)日: | 2022-09-23 |
发明(设计)人: | 魏猛;王阳;赵希晨 | 申请(专利权)人: | 沈阳芯达科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;B08B5/02 |
代理公司: | 辽宁惟则知识产权代理事务所(普通合伙) 21273 | 代理人: | 李巨智 |
地址: | 110167 辽宁省沈阳市浑*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 定位 夹紧 组件 | ||
本发明涉及一种晶圆定位夹紧组件,属于夹紧定位技术领域。该组件包括基座,顶面设置若干搭台,晶圆搭接在若干搭台上,基座内设有气流通道,基座的顶面上开设有与气流通道连通的气流出口,气流出口位于若干搭台之间;造气设备,基座安装在驱动机构的主轴上,主轴内部开设有流道,气流通道与流道的一端连通,流道的另一端通过进气块以及进气管与造气设备的出气口相连通,造气设备用于朝气流通道内通入气流以将晶圆吸附在搭台的顶面上;定位组件,安装在基座的顶面上,晶圆通过定位组件定位在基座的顶面上。这样,该晶圆定位夹紧组件通过吹气并借助伯努利原理将晶圆吸附在基座上,从而将晶圆处理过程中的细削以及水吹离晶圆背面以及所述气体进口。
技术领域
本发明属于夹紧定位技术领域,特别涉及一种晶圆定位夹紧组件。
背景技术
在对晶圆进行刻蚀、清洗、剥离的工艺过程中需要对晶圆进行定位夹紧,以避免晶圆产生微移。目前,多数是使用真空定位夹紧机构来实现晶圆的定位和夹紧,具体工作时,将晶圆放在定位基座上,利用真空设备吸气,从而将晶圆吸附在定位基座上。然而,在晶圆刻蚀、清洗、剥离的过程中会产生细削或者使用流动水,在真空吸附的过程中,细削以及流动水将被吸附进入定位夹紧机构,从而造成机构损伤,而且细削和水也会对晶圆的背面造成污染和损伤,降低晶圆合格率 。
发明内容
本发明提供一种晶圆定位夹紧组件,用于解决现有技术中的晶圆定位夹紧机构在吸附晶圆时易吸入细削以及水的技术问题。
本发明通过下述技术方案实现:一种晶圆定位夹紧组件,包括:
驱动机构,所述驱动机构包括主轴,所述主轴内部开设有流道;
基座,安装在所述驱动机构的主轴上方,所述基座的顶面设置有若干搭台,所述若干搭台用于通过搭台的顶面与晶圆搭接,所述基座内开设有气流通道,所述气流通道与所述流道的一端连通;所述基座的顶面上开设有与所述气流通道连通的气流出口,所述气流出口位于若干所述搭台中间;
造气设备,所述造气设备包括出气口,所述出气口通过进气管连接所述流道;在所述进气管与流道相接处设置进气块;所述造气设备用于通过向所述气流通道内通入气流,将晶圆吸附在所述搭台的顶面上。
进一步地,所述基座的顶面设置有一位于若干所述搭台中间的凸环,所述气流出口位于所述凸环的内部,若干所述搭台的顶面的高度一致,形成水平搭接面,用于使晶圆搭接在所述水平搭接面上,所述凸环的顶面为平面,所述搭接面与所述平面之间的垂直距离为0.5mm-1mm。
进一步地,所述气流出口的数量为若干个,所述凸环为圆环,若干个所述气流出口以所述凸环的中轴线圆周阵列分布,若干所述气流出口的气流流量总和为10L/h-15L/h。
进一步地,还包括定位组件,安装在所述基座的顶面上,用于将晶圆定位在所述基座的顶面上。
进一步地,所述定位组件包括若干凸出所述基座顶面的立柱,并且所述立柱凸出所述基座顶面的高度大于所述搭台凸出所述基座顶面的高度,若干所述立柱围绕形成与晶圆适配的卡框,使晶圆卡设于所述卡框中。
进一步地,每个所述立柱的周向侧壁上均开设有与晶圆适配的卡口,使晶圆卡设于所述卡口。
进一步地,所述搭台设置为若干个,且环绕所述凸环均匀分布。
进一步地,所述驱动机构包括电动机,所述电动机可拆卸固定安装在安装座上,且所述电动机的转轴与所述主轴相连;所述主轴转动插装于所述安装座,所述进气块固定安装在所述安装座上。
进一步地,所述进气块开设有一中心通孔,所述中心通孔的孔壁上开设有与所述中心通孔同轴的环形槽,所述环形槽的槽壁开设有贯穿所述进气块外侧壁的气道,所述进气管的一端与所述气道相连通,所述进气管的另一端与所述造气设备的出气口相连通;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造