[发明专利]一种晶圆清洗系统及其工作方法在审
| 申请号: | 202210794981.6 | 申请日: | 2022-07-07 |
| 公开(公告)号: | CN115172215A | 公开(公告)日: | 2022-10-11 |
| 发明(设计)人: | 蒋渊;陈新来;邓信甫;徐铭 | 申请(专利权)人: | 至微半导体(上海)有限公司;合肥至微微电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 沈栋栋 |
| 地址: | 200241 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 清洗 系统 及其 工作 方法 | ||
1.一种晶圆清洗系统,其特征在于,包括:
清洗腔;
晶圆承载平台,所述晶圆承载平台设置于所述清洗腔内,所述晶圆承载平台上放置有一晶圆片;
液膜生成喷淋装置,所述液膜生成喷淋装置设置于所述清洗腔外,所述液膜生成喷淋装置的输出端朝向所述晶圆片设置;
功能水供应装置,所述功能水供应装置设置于所述清洗腔外,所述功能水供应装置的输出端与所述液膜生成喷淋装置的输入端连接,所述功能水供应装置用于供应一混合有功能性气体的液体;
清洗喷淋装置,所述清洗喷淋装置设置于所述晶圆承载平台的上方,所述清洗喷淋装置用于喷淋一清洗液。
2.根据权利要求1所述的晶圆清洗系统,其特征在于,所述功能性气体包括:氮气、二氧化碳和氢气中的一种或多种的混合物。
3.根据权利要求1所述的晶圆清洗系统,其特征在于,所述液体包括:化学清洗液和超纯水中的一种或两种的混合物。
4.根据权利要求1所述的晶圆清洗系统,其特征在于,所述功能水供应装置包括:气液混合装置、气体输入装置、液体输入装置和输出管路,所述气体输入装置和所述液体输入装置均与所述气液混合装置连接,所述气液混合装置与所述输出管路的一端连接,所述输出管路的另一端与所述液膜生成喷淋装置连接。
5.根据权利要求4所述的晶圆清洗系统,其特征在于,所述功能水供应装置包括:温控组件,所述温控组件安装于所述输出管路上,所述温控组件用于控制所述输出管路内混合有功能性气体的液体的温度。
6.根据权利要求1所述的晶圆清洗系统,其特征在于,所述液膜生成喷淋装置包括:基座、支架、小型喷头、上支臂和下支臂,所述基座设置于所述清洗腔的外侧,所述支架的下端与所述基座连接,所述上支臂沿水平方向设置,所述上支臂的一端与所述支架的上端连接,所述上支臂的另一端与所述小型喷头的头部连接,所述下支臂的一端与所述支架的上端连接,所述下支臂的另一端与所述小型喷头的尾部连接。
7.根据权利要求1所述的晶圆清洗系统,其特征在于,所述清洗喷淋装置包括:摆动机构、喷头组件和清洗液供应装置,所述摆动机构设置于所述清洗腔的外侧,所述摆动机构具有一移动端,所述移动端与所述喷头组件连接,所述喷头组件通过管路与所述清洗液供应装置连接。
8.根据权利要求1所述的晶圆清洗系统,其特征在于,还包括:机械转运机构,所述机械转运机构设置于所述清洗腔的外侧,所述机械转运机构设置于所述清洗腔的外侧,所述机械转运机构用于运输所述晶圆片。
9.根据权利要求1所述的晶圆清洗系统,其特征在于,所述晶圆承载平台上设置有吹气组件。
10.一种晶圆清洗系统的工作方法,包括上述权利要求1至9中任意一项所述的晶圆清洗系统,其特征在于,包括如下步骤:
步骤S1,将所述晶圆片放置于所述晶圆承载平台上;
步骤S2,通过所述液膜生成喷淋装置对所述晶圆片的上表面喷淋混合有功能性气体的液体;
步骤S3,通过所述清洗喷淋装置对所述晶圆片的上表面喷淋化学清洗液;
步骤S4,通过所述清洗喷淋装置对所述晶圆片的上表面喷淋超纯水。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





