[发明专利]一种金刚石基薄膜电路制作方法及其电路在审
| 申请号： | 202210779958.X | 申请日： | 2022-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN115087196A | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 王斌;孙吉胜;姜万顺;邓建钦;宋振国;付延新;桑锦正;孙建华;王沫 | 申请（专利权）人： | 中电科思仪科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H05K1/03 | 分类号： | H05K1/03;H05K3/00;H05K3/28 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 王雪 |
| 地址： | 266555 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金刚石 薄膜 电路 制作方法 及其 | ||
1.一种金刚石基薄膜电路制作方法，其特征在于，包括：
(1)选定底层硅材料；
(2)在底层硅材料的上方制作金刚石膜；
(3)对金刚石膜的上表面进行清洗；
(4)在金刚石膜的上表面镀膜，形成膜层，且膜层上表面为金层；
(5)在膜层的上表面涂覆光致抗蚀剂，并做前烘处理；
(6)采用紫外曝光机，利用相应的掩膜版对光致抗蚀剂进行处理，形成工艺窗口；
(7)在工艺窗口上电镀金，形成薄膜电路图形，并在薄膜电路图形上表面镀一层保护层；
(8)去除光致抗蚀剂；
(9)去除未受保护层保护的膜层，然后去除保护层；
(10)根据电路外形，进行开槽处理，形成外形加工槽；
(11)将硅腐蚀液注入外形加工槽，以去除底层硅材料；
(12)清洗得到金刚石基薄膜电路。
2.根据权利要求1所述的金刚石基薄膜电路制作方法，其特征在于，所述步骤(2)具体包括：对金刚石膜的上表面进行包括铬酸洗液浸泡、DI水超声波清洗、离心甩干和烘烤的清洗处理。
3.根据权利要求1所述的金刚石基薄膜电路制作方法，其特征在于，所述膜层从下往上依次包括附着层和导电层；
或，所述膜层从下往上依次包括电阻层、附着层和导电层。
4.根据权利要求1所述的金刚石基薄膜电路制作方法，其特征在于，所述步骤(5)具体包括：采用紫外曝光机，利用相应的掩膜版对所涂覆的光致抗蚀剂进行包括曝光、显影和坚膜处理，形成电镀金的工艺窗口。
5.根据权利要求1所述的金刚石基薄膜电路制作方法，其特征在于，所述步骤(9)中，采用腐蚀液去除保护层。
6.根据权利要求1所述的金刚石基薄膜电路制作方法，其特征在于，所述外形加工槽的宽度应不低于金刚石膜的厚度，外形加工槽的深度大于金刚石膜的厚度。
7.根据权利要求1所述的金刚石基薄膜电路制作方法，其特征在于，所述步骤(10)中包括对外形加工槽的加工轨迹进行补偿。
8.根据权利要求1所述的金刚石基薄膜电路制作方法，其特征在于，所述步骤(11)中采用硅腐蚀液去除底层硅材料。
9.根据权利要求1所述的金刚石基薄膜电路制作方法，其特征在于，所述步骤(12)具体包括：依此进行DI水冲洗、DI水超声波清洗和丙酮脱水处理，得到金刚石基薄膜电路。
10.一种金刚石基薄膜电路，其特征在于，由权利要求1-9任一项所述的金刚石基薄膜电路制作方法制作而成，包括：从下往上依次连接的金刚石膜、膜层和薄膜电路图形。
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