[发明专利]一种晶上系统封装结构

说明书

本发明提供一种晶上系统封装结构，包括：塑封晶圆，所述塑封晶圆中具有容纳槽；位于所述容纳槽中的桥接芯片；位于所述塑封晶圆和桥接芯片一侧的重布线结构，所述重布线结构与所述桥接芯片的正面连接；位于所述重布线结构背离所述塑封晶圆一侧的若干个第一芯片；至少部分相邻的所述第一芯片之间通过重布线结构和桥接芯片互连。本发明提供的晶上系统封装结构的可靠性能够提高。

技术领域

本发明涉及晶圆集成技术领域，具体涉及一种晶上系统封装结构。

背景技术

超级计算机和人工智能的不断发展，对于高效运算(HPC)芯片的升级渴求从未停歇，同时系统集成技术和晶圆级封装工艺也在近些年成为主流芯片厂商的重点发展方向，在这种需求与技术共同驱使下，晶上系统(system on wafer)的概念近期得到超算领域的较大关注。简单来说，晶上系统就是将一定数量的计算芯片集成到一整张晶圆上作为一个整体，形成具有超高效能(HPC)芯片系统。晶上系统的核心计算晶圆I/O数量庞大，达百万以上级别，较目前先进封装高出两个数量级以上，且核心计算晶圆集成的异构预制件存在多种数字/模拟的电源等级需求，因此综合考虑到海量布线与多电源平面共存的现实问题，晶上系统存在着跨越芯片尺度的精细互连需求，同时载板晶圆的布线层数有着极高的要求。

当传统的2.5D转接板的再布线层数达到5层以后，翘曲值会增大，导致工艺无法正常进行，无法实现更高复杂度的信号互连，会产生严重的可靠性问题。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中晶上系统封装结构的可靠性较差的缺陷，从而提供一种晶上系统封装结构。

本发明提供一种晶上系统封装结构，包括：塑封晶圆，所述塑封晶圆中具有容纳槽；位于所述容纳槽中的桥接芯片；位于所述塑封晶圆和桥接芯片一侧的重布线结构，所述重布线结构与所述桥接芯片的正面连接；位于所述重布线结构背离所述塑封晶圆一侧的若干个第一芯片；至少部分相邻的所述第一芯片之间通过重布线结构和桥接芯片互连。

可选的，所述桥接芯片的正面设置有第一焊盘和第二焊盘，所述重布线结构包括间隔设置的第一布线路径和第二布线路径，第一布线路径分别与第一焊盘和相邻的所述第一芯片中的一个第一芯片电连接，第二布线路径分别与第二焊盘和相邻的所述第一芯片中的另一个第一芯片电连接。

可选的，所述重布线结构包括垂直于所述塑封晶圆表面的方向上设置的若干层重布线层，所述若干层重布线层的层数小于或等于5层。

可选的，晶上系统封装结构还包括：位于所述重布线结构背离所述塑封晶圆一侧的塑封层，塑封层包覆所述第一芯片。

可选的，晶上系统封装结构还包括：位于所述塑封晶圆中的导电件；位于所述塑封晶圆背离所述重布线结构一侧的电源供给单元；所述导电件分别与所述重布线结构和所述电源供给单元电连接。

可选的，晶上系统封装结构还包括：位于所述塑封层背离所述重布线结构一侧的散热单元。

可选的，晶上系统封装结构还包括：位于所述第一芯片侧部的塑封层中的导电件；位于所述塑封层背离所述重布线结构一侧电源供给单元；晶上系统封装结构所述导电件分别与所述重布线结构和所述电源供给单元电连接。

可选的，晶上系统封装结构还包括：位于所述塑封晶圆背离所述重布线结构一侧的散热单元。

可选的，所述重布线结构包括：若干个光刻布线区域；每个光刻布线区域背离所述塑封晶圆的一侧均设置有若干个第一芯片；不相邻的光刻布线区域上的相邻的第一芯片，对于相邻的所述第一芯片之间通过重布线结构和桥接芯片互连。

本发明的有益效果在于：