[发明专利]一种晶上系统封装结构在审
| 申请号: | 202210770601.5 | 申请日: | 2022-06-30 |
| 公开(公告)号: | CN115101518A | 公开(公告)日: | 2022-09-23 |
| 发明(设计)人: | 张宏伟;曹立强 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号: | H01L25/18 | 分类号: | H01L25/18;H01L25/07;H01L23/48;H01L23/367;H01L23/482;H01L23/485 |
| 代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 薛异荣 |
| 地址: | 214135 江苏省无锡市新吴区太湖国*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 系统 封装 结构 | ||
1.一种晶上系统封装结构,其特征在于,包括:
塑封晶圆,所述塑封晶圆中具有容纳槽;
位于所述容纳槽中的桥接芯片;
位于所述塑封晶圆和桥接芯片一侧的重布线结构,所述重布线结构与所述桥接芯片的正面连接;
位于所述重布线结构背离所述塑封晶圆一侧的若干个第一芯片;至少部分相邻的所述第一芯片之间通过重布线结构和桥接芯片互连。
2.根据权利要求1所述的晶上系统封装结构,其特征在于,所述桥接芯片的正面设置有第一焊盘和第二焊盘,所述重布线结构包括间隔设置的第一布线路径和第二布线路径,第一布线路径分别与第一焊盘和相邻的所述第一芯片中的一个第一芯片电连接,第二布线路径分别与第二焊盘和相邻的所述第一芯片中的另一个第一芯片电连接。
3.根据权利要求1所述的晶上系统封装结构,其特征在于,所述重布线结构包括垂直于所述塑封晶圆表面的方向上设置的若干层重布线层,所述若干层重布线层的层数小于或等于5层。
4.根据权利要求1所述的晶上系统封装结构,其特征在于,还包括:位于所述重布线结构背离所述塑封晶圆一侧的塑封层,塑封层包覆所述第一芯片。
5.根据权利要求4所述的晶上系统封装结构,其特征在于,还包括:位于所述塑封晶圆中的导电件;位于所述塑封晶圆背离所述重布线结构一侧的电源供给单元;所述导电件分别与所述重布线结构和所述电源供给单元电连接。
6.根据权利要求4或5所述的晶上系统封装结构,其特征在于,还包括:位于所述塑封层背离所述重布线结构一侧的散热单元。
7.根据权利要求4所述的晶上系统封装结构,其特征在于,还包括:位于所述第一芯片侧部的塑封层中的导电件;位于所述塑封层背离所述重布线结构一侧电源供给单元;所述导电件分别与所述重布线结构和所述电源供给单元电连接。
8.根据权利要求4或7所述的晶上系统封装结构,其特征在于,还包括:位于所述塑封晶圆背离所述重布线结构一侧的散热单元。
9.根据权利要求1所述的晶上系统封装结构,其特征在于,所述重布线结构包括:若干个光刻布线区域;每个光刻布线区域背离所述塑封晶圆的一侧均设置有若干个第一芯片;
对于相邻的光刻布线区域上的相邻的第一芯片,相邻的所述第一芯片之间通过重布线结构和桥接芯片互连。
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