[发明专利]晶圆治具、晶圆结构及晶圆的加工方法在审
申请号: | 202210767742.1 | 申请日: | 2022-07-01 |
公开(公告)号: | CN116013837A | 公开(公告)日: | 2023-04-25 |
发明(设计)人: | 温禅儒;吴翰宗 | 申请(专利权)人: | 环球晶圆股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L29/06;H01L21/04 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 贺财俊;臧建明 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆治具 结构 加工 方法 | ||
本发明提供一种晶圆治具、晶圆结构及晶圆的加工方法,可避免晶圆的边缘破裂且可解决晶圆与机台不兼容的问题。晶圆结构包括环状支撑部及至少一延伸部。延伸部从环状支撑部的内缘延伸出且具有环状接触面,其中环状接触面具有倾斜角度而不平行于水平面。
技术领域
本发明涉及一种治具、包含此治具的结构及加工方法,尤其涉及一种晶圆治具、包含此晶圆治具的晶圆结构及晶圆的加工方法。
背景技术
碳化硅的价格非常昂贵,为了尽可能将碳化硅材料制造成多片碳化硅晶圆以达到节省成本的目的,碳化硅晶圆的薄化非常重要。然而,碳化硅晶圆容易在进行薄化加工的过程中破裂损坏。在碳化硅晶圆贴附背胶可强化其结构,但此举仅能强化碳化硅晶圆的背面而无助于碳化硅晶圆的边缘的强化,故仍难以避免碳化硅晶圆的边缘在加工过程中破裂。此外,特定尺寸的晶圆(如6吋晶圆)可能不符合加工机台的规格(如对应于8吋晶圆的规格),而产生晶圆与机台不兼容的问题。
发明内容
本发明是针对一种晶圆治具、晶圆结构及晶圆的加工方法,可避免晶圆的边缘破裂且可解决晶圆与机台不兼容的问题。
根据本发明的实施例,晶圆治具包括环状支撑部及至少一延伸部。延伸部从环状支撑部的内缘延伸出且具有环状接触面,其中环状接触面具有倾斜角度而不平行于水平面。
在根据本发明的实施例中,环状接触面为平面或弧面。
在根据本发明的实施例中,环状支撑部的外径为环状支撑部的内径的至少1.2倍。
在根据本发明的实施例中,环状支撑部及延伸部的熔点大于或等于摄氏120度。
在根据本发明的实施例中,延伸部具有承载面,承载面连接于环状接触面而被环状接触面围绕,承载面适于承载晶圆。
在根据本发明的实施例中,在垂直于承载面的方向上,环状支撑部的顶部至承载面的距离小于或等于晶圆的厚度的0.95倍。
在根据本发明的实施例中,环状支撑部的顶面从环状支撑部的内缘往环状支撑部的外缘向下倾斜。
在根据本发明的实施例中,晶圆治具包括两延伸部,其中一延伸部的环状接触面与另一延伸部的环状接触面彼此相向,晶圆被限位于两环状接触面之间。
根据本发明的实施例,晶圆结构包括晶圆治具及晶圆。晶圆治具包括环状支撑部及至少一延伸部。延伸部从环状支撑部的内缘延伸出且具有环状接触面,其中环状接触面具有倾斜角度而不平行于水平面。晶圆被支撑于环状支撑部内,其中晶圆具有底面、侧面及延伸面,延伸面连接于底面与侧面之间且接触环状接触面。
在根据本发明的实施例中,环状接触面为平面或弧面。
在根据本发明的实施例中,环状支撑部的外径为环状支撑部的内径的至少1.2倍。
在根据本发明的实施例中,环状支撑部及延伸部的熔点大于或等于摄氏120度。
在根据本发明的实施例中,延伸部具有承载面,承载面连接于环状接触面而被环状接触面围绕,承载面适于承载晶圆。
在根据本发明的实施例中,在垂直于承载面的方向上,环状支撑部的顶部至承载面的距离小于或等于晶圆的厚度的0.95倍。
在根据本发明的实施例中,环状支撑部的顶面从环状支撑部的内缘往环状支撑部的外缘向下倾斜。
在根据本发明的实施例中,晶圆治具包括两延伸部,其中一延伸部的环状接触面与另一延伸部的环状接触面彼此相向,晶圆被限位于两环状接触面之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造