[发明专利]晶圆治具、晶圆结构及晶圆的加工方法在审
申请号: | 202210767742.1 | 申请日: | 2022-07-01 |
公开(公告)号: | CN116013837A | 公开(公告)日: | 2023-04-25 |
发明(设计)人: | 温禅儒;吴翰宗 | 申请(专利权)人: | 环球晶圆股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L29/06;H01L21/04 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 贺财俊;臧建明 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆治具 结构 加工 方法 | ||
1.一种晶圆治具,其特征在于,包括:
环状支撑部;以及
至少一延伸部,从所述环状支撑部的内缘延伸出且具有环状接触面,其中所述环状接触面具有倾斜角度而不平行于水平面。
2.根据权利要求1所述的晶圆治具,其特征在于,所述环状接触面为平面或弧面。
3.根据权利要求1所述的晶圆治具,其特征在于,所述环状支撑部的外径为所述环状支撑部的内径的至少1.2倍。
4.根据权利要求1所述的晶圆治具,其特征在于,所述环状支撑部及所述延伸部的熔点大于或等于摄氏120度。
5.根据权利要求1所述的晶圆治具,其特征在于,所述延伸部具有承载面,所述承载面连接于所述环状接触面而被所述环状接触面围绕,所述承载面适于承载所述晶圆。
6.根据权利要求5所述的晶圆治具,其特征在于,在垂直于所述承载面的方向上,所述环状支撑部的顶部至所述承载面的距离小于或等于所述晶圆的厚度的0.95倍。
7.根据权利要求1所述的晶圆治具,其特征在于,所述环状支撑部的顶面从所述环状支撑部的内缘往所述环状支撑部的外缘向下倾斜。
8.根据权利要求1所述的晶圆治具,其特征在于,包括两所述延伸部,其中一所述延伸部的所述环状接触面与另一所述延伸部的所述环状接触面彼此相向,所述晶圆被限位于所述两环状接触面之间。
9.一种晶圆结构,其特征在于,包括:
晶圆治具,包括:
环状支撑部;以及
至少一延伸部,从所述环状支撑部的内缘延伸出且具有环状接触面,其中所述环状接触面具有倾斜角度而不平行于水平面;以及
晶圆,被支撑于所述环状支撑部内,其中所述晶圆具有底面、侧面及延伸面,所述延伸面连接于所述底面与所述侧面之间且接触所述环状接触面。
10.根据权利要求9所述的晶圆结构,其特征在于,所述环状接触面为平面或弧面。
11.根据权利要求9所述的晶圆结构,其特征在于,所述环状支撑部的外径为所述环状支撑部的内径的至少1.2倍。
12.根据权利要求9所述的晶圆结构,其特征在于,所述环状支撑部及所述延伸部的熔点大于或等于摄氏120度。
13.根据权利要求9所述的晶圆结构,其特征在于,所述延伸部具有承载面,所述承载面连接于所述环状接触面而被所述环状接触面围绕,所述承载面适于承载所述晶圆。
14.根据权利要求13所述的晶圆结构,其特征在于,在垂直于所述承载面的方向上,所述环状支撑部的顶部至所述承载面的距离小于或等于所述晶圆的厚度的0.95倍。
15.根据权利要求9所述的晶圆结构,其特征在于,所述环状支撑部的顶面从所述环状支撑部的内缘往所述环状支撑部的外缘向下倾斜。
16.根据权利要求9所述的晶圆结构,其特征在于,所述晶圆治具包括两所述延伸部,一所述延伸部的所述环状接触面与另一所述延伸部的所述环状接触面彼此相向,所述晶圆被限位于所述两环状接触面之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造