[发明专利]一种晶圆测试用缺陷检测结构及其方法在审
| 申请号： | 202210766829.7 | 申请日： | 2022-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN114975156A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 夏禹;董颖;何志斌 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 测试 缺陷 检测 结构 及其 方法 | ||
1.一种晶圆测试用缺陷检测结构，其特征在于，该结构包括：若干检测组；
所述检测组两端包括相邻预设间距的第一晶圆连接、M0金属层和第二晶圆连接、以及用于对所述M0金属层进行切割的M0切割结构，其中，所述第一晶圆连接和所述第二晶圆连接之间包括预设间距的鳍Fin；
所述M0金属层通过金属连线层导出，所述第一晶圆连接和所述第二晶圆连接通过第一层金属连线层导出。
2.根据权利要求1所述的晶圆测试用缺陷检测结构，其特征在于，所述鳍Fin之间的预设间距为侧墙融合间距。
3.根据权利要求1所述的晶圆测试用缺陷检测结构，其特征在于，所述第一晶圆连接、所述M0金属层和所述第二晶圆连接之间的相邻预设间距根据最小线宽尺寸要求与线间最小间距要求设置。
4.根据权利要求1所述的晶圆测试用缺陷检测结构，其特征在于，所述M0金属层跨在待测鳍Fin上。
5.根据权利要求1所述的晶圆测试用缺陷检测结构，其特征在于，所述M0金属层通过上层金属接触孔处的金属连线层导出。
6.根据权利要求1所述的晶圆测试用缺陷检测结构，其特征在于，所述第一晶圆连接和所述第二晶圆连接通过栅极金属接触孔处的第一层金属连线层导出。
7.一种晶圆测试用缺陷检测方法，其特征在于，所述方法适用于上述权利要求1所述的晶圆测试用缺陷检测结构，所述方法包括：
检测开始时，各晶圆连接处全部加压开启；
在第一位置处和第二位置处加电压测电流，所述第一位置与缺陷鳍Fin平行，所述第二位置位于所述第一位置的上下侧且平行；
响应于缺陷鳍Fin存在，所述第一位置，和/或，所述第二位置处存在导通大电流；
响应于缺陷鳍Fin不存在，所述第一位置，和/或，所述第二位置处存在微电流。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述各晶圆连接处的加压位置位于所述第一位置和所述第二位置的上方。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述晶圆测试用缺陷检测方法适用于14nm及以下Fin-FET制程。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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