[发明专利]一种基于博弈对抗的半导体制造优化方法

权利要求书

1.一种基于博弈对抗的半导体制造优化方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一：在半导体制造的过程中需要用到一些生产原料，研发人员可以根据生产出来的半导体的质量不断尝试采用新的原料进行代替，以得到质量更好的半导体；

步骤二：原料挑选后，生产时，可以通过对机械和人员的调整，使得采购的机械能够投入至充分的运行当中，同时调整人员的结构，人尽其才，发挥出人工的特长，以更多的精力投入至工作当中，同时不断改变刻蚀方法，针对不同类型的半导体实行针对性的刻蚀类型；

步骤三：产品制造出来后，可以通过多种不同的方式进行测试，以保证产品在不同的环境下都有较长的寿命，测试后进行封装，封装时可改变不同类型的封装方式，保证产品在运输过程中的安全性；

步骤四：封装后，对产品进行调度，选择合理的调度方式，产品调度后进产值的计算，在计算产值时也需要对生产进行不断调整，使得在保证公司收益的同时保证产品的质量，从而完成对半导体制造的优化。

2.根据权利要求1所述的一种基于博弈对抗的半导体制造优化方法，其特征在于，所述优化方法通过优化系统实施，所述优化系统包括调度优化模块、生产优化模块、产值优化模块、原料优化模块、封装优化模块、测试优化模块和刻蚀优化模块。

3.根据权利要求2所述的一种基于博弈对抗的半导体制造优化方法，其特征在于，所述调度优化模块包括调度优化单元，所述调度优化单元通过调度公式实施，所述调度公式为其中J(t)表示平均库存费用，Q表示调度周期，h表示由h_k组成的c维费向量，t表示时间。

4.根据权利要求3所述的一种基于博弈对抗的半导体制造优化方法，其特征在于，所述生产优化模块包括机械优化单元和人员优化单元，所述机械优化单元用于合理调整机械的数量和工作时间，所述人员优化单元用于合理进行人事任用，以发挥员工的最大潜力。

5.根据权利要求4所述的一种基于博弈对抗的半导体制造优化方法，其特征在于，所述产值优化模块包括产值优化单元，所述产值优化单元有产值计算公式实施，所述产值计算公式为A＝W-B-C,其中A表示利润，W表示总营业额，B表示人工支出，C表示原料及机械成本支出。

6.根据权利要求5所述的一种基于博弈对抗的半导体制造优化方法，其特征在于，所述原料优化模块包括原料选择单元和原料测试单元，所述原料选择单元用于选择不同类型的原料生产半导体，所述原料测试单元用于对不同原料进行测试以得到合适的材料。

7.根据权利要求6所述的一种基于博弈对抗的半导体制造优化方法，其特征在于，所述封装优化模块包括2D封装单元、2.5D封装单元和3D封装单元，所述2.5D封装单元可以将两种或更多类型的芯片放入单个封装，同时让信号横向传送，所述3D封装单元可以将两种或更多类型的芯片放入单个封装，同时让信号纵向传送。

8.根据权利要求7所述的一种基于博弈对抗的半导体制造优化方法，其特征在于，所述测试优化模块包括测试优化单元，所述测试优化单元用于使用不同的测试方式进行产品的测试。

9.根据权利要求8所述的一种基于博弈对抗的半导体制造优化方法，其特征在于，所述刻蚀优化模块包括湿法刻蚀单元和干法刻蚀单元，所述湿法刻蚀单元使用化学溶液去除氧化膜的湿法刻蚀，具有成本低、刻蚀速度快和生产率高的优势，所述干法刻蚀单元用于保持全晶圆刻蚀的均匀性。