[发明专利]一种FCBGA基板中的焊盘阻抗优化结构及其制造方法在审
| 申请号: | 202210742901.2 | 申请日: | 2022-06-28 |
| 公开(公告)号: | CN115132686A | 公开(公告)日: | 2022-09-30 |
| 发明(设计)人: | 杨成林;周云燕;宋阳;宋刚;曹立强 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L21/768;H01L23/482;H01L23/485 |
| 代理公司: | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人: | 张东梅 |
| 地址: | 214028 江苏省无锡市新区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 fcbga 中的 阻抗 优化结构 及其 制造 方法 | ||
本发明涉及一种FCBGA基板中的焊盘阻抗优化结构,包括:位于BGA焊盘正上方或正下方的一层或多层空洞,其中空洞为一层或多层金属布线层中正对BGA焊盘处的不含金属的空白区域;以及从金属布线层中延伸至空洞的多个金属条。
技术领域
本发明涉及半导体封装技术领域,尤其涉及一种FCBGA基板中的焊盘阻抗优化结构及其制造方法。
背景技术
随着高密高速SiP(系统封装)集成需求越来越高,高速信号在SiP中的会面临着诸多阻抗不连续结构,也更加凸显了高速信号在微系统中阻抗匹配的问题。例如FCBGA(倒装芯片球栅阵列)基板的球焊盘、过孔、过孔焊盘引起高速通路上存在阻抗的不连续、这些阻抗不连续结构均会导致传输性能不佳的现象。因此在高速高密系统级封装设计时,利用合理的结构尽可能消除阻抗不连续结构对传输性能带来的影响,改善高速信号的传输性能,保证系统稳定的功能。
目前改善高速高密SiP阻抗不连续结构的主要方式减少阻抗不连续处的阻抗变化幅度方式,例如对于过孔这个阻抗不连续结构,为了减小过孔阻抗不连续性的常用方法主要有:采用无盘工艺、选择出线方式以及优化反焊盘直径等方法。对于焊盘这种阻抗不连续结构,目前主要会采用介质厚度调整以及焊盘正上/下方地平面挖空,通过以上方式都能减小焊盘的分布电容。但在有限的介质厚度调整范围内,对于这种焊盘阻抗不连续结构就需要对焊盘的正上/下方多层的电源/地平面挖空处理。图1示出了现有技术的一种焊盘上方挖空的阻抗优化结构。如图1所示将焊盘30的正上/下方多层的电源/地平面40挖空处理。
虽然挖空处理可以优化传输结构的电性能,但是需要在大焊盘结构正上/下方多层电源/地平面挖空的优化结构来说,其连续多层大面积掏空的优化结构对于FCBGA基板的制备工艺来说会存在较为严重制备问题,影响最终产品的可靠性问题。
发明内容
本发明的任务是提供一种FCBGA基板中的焊盘阻抗优化结构及其制造方法,该焊盘阻抗优化结构能够在优化BGA焊盘处阻抗的同时,起到支撑作用,防止在压合ABF薄复合材料的过程中出现介质压合厚度的不一致,多层ABF薄复合材料之间存在空隙的情况。
在本发明的第一方面,针对现有技术中存在的问题,本发明提供一种FCBGA基板中的焊盘阻抗优化结构来解决,包括:
位于BGA焊盘正上方或正下方的一层或多层空洞,其中空洞为一层或多层金属布线层中正对BGA焊盘处的不含金属的空白区域;以及
从金属布线层中延伸至空洞的多个金属条。
进一步地,位于同一层的所述多个金属条相互连接或互不连接。
进一步地,所述空洞的直径为600μm-1000μm。
进一步地,所述金属条的长度为300μm-1000μm,宽度为30μm-70μm。
进一步地,所述焊盘阻抗优化结构与金属布线层同时形成。
在本发明的第二方面,针对现有技术中存在的问题,本发明提供一种FCBGA基板中的焊盘阻抗优化结构的制造方法来解决,包括:
将第二金属板、ABF薄复合材料、第一基板、ABF薄复合材料、第二金属板自上而下依次层叠,进行压合;
去除第二金属板;
制作贯穿ABF薄复合材料的盲孔,并在盲孔中填充金属形成第二导电通孔,同时在ABF薄复合材料的表面形成第一金属层;以及
刻蚀第一金属层形成第二金属布线层,同时在正对焊盘的区域形成焊盘阻抗优化结构,其中焊盘阻抗优化结构为带有金属条的空洞。
进一步地,多次重复ABF薄复合材料压合步骤至形成焊盘阻抗优化结构步骤,得到多层带有金属条的空洞。
进一步地,位于同一层的所述多个金属条相互连接或互不连接;和/或
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司,未经华进半导体封装先导技术研发中心有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210742901.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





