[发明专利]电容器组件及制造电容器组件的方法在审

专利信息
申请号: 202210740783.1 申请日: 2022-06-27
公开(公告)号: CN116110716A 公开(公告)日: 2023-05-12
发明(设计)人: 刘正勳;金秀彬;李炅烈;郑锺锡;徐春希;柳东建;孔炯畯 申请(专利权)人: 三星电机株式会社
主分类号: H01G4/12 分类号: H01G4/12;H01G4/30
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 何巨;沈浩
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电容器 组件 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种电容器组件,包括:

主体,包括交替堆叠的多个介电层和多个内电极层,且所述介电层介于彼此相邻的两个所述内电极层之间;以及

外电极,设置在所述主体上并连接到多个所述内电极层,

其中,所述介电层具有中央区域、上部区域和下部区域,所述上部区域设置在所述中央区域上方并且在从与所述内电极层的边界到所述中央区域的方向上将所述内电极层和所述中央区域间隔开大于0nm且小于等于30nm,所述下部区域设置在所述中央区域下方,并且

其中,所述介电层的所述上部区域的离子迁移率低于所述介电层的所述中央区域的离子迁移率。

2.如权利要求1所述的电容器组件,其中,所述介电层的所述上部区域包含Zn和In中的至少一种。

3.如权利要求2所述的电容器组件,其中,所述介电层的所述上部区域中包含的Zn和In中的所述至少一种的量大于等于1at%且小于等于10at%。

4.如权利要求1所述的电容器组件,其中,所述介电层包括介电陶瓷颗粒,

其中,所述介电层的所述上部区域中的介电陶瓷颗粒的平均尺寸小于所述介电层的所述中央区域中的介电陶瓷颗粒的平均尺寸。

5.如权利要求4所述的电容器组件,其中,所述介电层的所述上部区域中的介电陶瓷颗粒的平均尺寸与所述介电层的所述中央区域中的介电陶瓷颗粒的平均尺寸的比率大于等于20%且小于等于50%。

6.如权利要求4所述的电容器组件,其中,所述介电层包括包含钡和钛的介电陶瓷颗粒,并且

所述介电层的所述上部区域包括至少一部分钛被锡和锆中的至少一种取代的介电陶瓷颗粒。

7.如权利要求6所述的电容器组件,其中,在多个所述内电极层中设置有陶瓷颗粒,

其中,多个所述内电极层的所述陶瓷颗粒包含锡和锆中的至少一种。

8.如权利要求7所述的电容器组件,其中,多个所述内电极层的所述陶瓷颗粒还包含钡和钛。

9.如权利要求8所述的电容器组件,其中,所述介电层的所述中央区域的平均厚度为380nm或更小。

10.如权利要求1所述的电容器组件,其中,所述介电层的所述上部区域设置在多个所述内电极层中的至少一个内电极层和所述介电层的所述中央区域之间。

11.一种制造电容器组件的方法,包括:

形成介电生片;

通过溅射在所述介电生片的一个表面上形成ZnO和In2O3中的至少一种;以及

将导电膏涂覆到所述介电生片。

12.根据权利要求11所述的方法,所述方法还包括:

提供涂覆有所述导电膏的所述介电生片作为多个介电生片,并堆叠所述多个介电生片,以形成堆叠体;以及

烧结所述堆叠体以形成包括介电层和内电极层的主体。

13.一种制造电容器组件的方法,包括:

形成具有包含钡和钛的介电陶瓷颗粒的介电生片;以及

将导电膏涂覆到所述介电生片,所述导电膏包括导电粉末和包含钡和钛的陶瓷颗粒,

其中,所述陶瓷颗粒具有至少一部分钛被锡和锆中的至少一种取代的组成。

14.根据权利要求13所述的方法,所述方法还包括:

提供涂覆有所述导电膏的所述介电生片作为多个介电生片,并堆叠所述多个介电生片,以形成堆叠体;以及

烧结所述堆叠体以形成包括介电层和内电极层的主体。

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