[发明专利]半导体器件

说明书

一种半导体器件，包括包含第一有源区和第二有源区的衬底、位于第一有源区和第二有源区上的第一有源图案和第二有源图案、以及与第一有源图案和第二有源图案交叉的栅电极。栅电极可以包括位于第一有源区和第二有源区上的第一电极部分和第二电极部分。第一电极部分可以包括第一金属图案以及位于该第一金属图案上的第二金属图案。第二电极部分可以包括第三金属图案以及位于该第三金属图案上的第四金属图案。第一金属图案可以包括第一线路部以及从该第一线路部延伸的第一竖直部，而第三金属图案可以包括第二线路部以及从该第二线路部延伸的第二竖直部。第一竖直部和第二竖直部可以彼此接触。

相关申请的交叉引用

本专利申请要求于2021年8月27日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10-2021-0113952的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本公开涉及一种半导体器件，并且具体地，涉及一种包括场效应晶体管的半导体器件。

背景技术

半导体器件可以包括集成电路，该集成电路包括金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。为了满足对具有小图案尺寸和/或减少设计规则的半导体器件日益增长的需求，MOSFET正在积极地按比例缩小。MOSFET的按比例缩小可能导致半导体器件的操作特性劣化。正在进行各种研究以克服与半导体器件的缩小相关的技术限制并实现高性能半导体器件。

发明内容

本发明构思的示例实施例提供一种具有改善电特性的半导体存储器件。

根据本发明构思的实施例，一种半导体器件可以包括：衬底，该衬底包括第一有源区、与第一有源区相邻的第二有源区、以及位于第一有源区与第二有源区之间的沟槽；器件隔离层，填充沟槽；第一有源图案，在第一有源区上；第二有源图案，在第二有源区上；以及栅电极，延伸以与第一有源图案和第二有源图案交叉，该栅电极包括位于第一有源区上的第一电极部分以及位于第二有源区上的第二电极部分。第一电极部分可以包括覆盖第一有源图案的第一金属图案以及位于第一金属图案上的第二金属图案。第二电极部分可以包括覆盖第二有源图案的第三金属图案以及位于第三金属图案上的第四金属图案，第一金属图案可以包括第一线路部和第一竖直部，该第一线路部平行于器件隔离层的顶表面延伸，以及该第一竖直部从第一线路部竖直延伸，第三金属图案可以包括第二线路部和第二竖直部，该第二线路部平行于器件隔离层的顶表面延伸，以及该第二竖直部从第二线路部竖直延伸。第一竖直部可以与第二竖直部接触。

根据本发明构思的实施例，一种半导体器件可以包括位于衬底上的第一有源图案和第二有源图案；器件隔离层，填充第一有源图案与第二有源图案之间的沟槽；第一源极/漏极图案，在第一有源图案上；第二源极/漏极图案，在第二有源图案上；第一沟道图案，连接到第一源极/漏极图案；第二沟道图案，连接到第二源极/漏极图案；以及栅电极，延伸以与第一沟道图案和第二沟道图案交叉，该栅电极包括位于第一有源图案上的第一电极部分以及位于第二有源图案上的第二电极部分。第一电极部分可以包括覆盖第一有源图案的第一金属图案以及位于第一金属图案上的第二金属图案。第二电极部分可以包括覆盖第二有源图案的第三金属图案以及位于第三金属图案上的第四金属图案，第一金属图案可以包括第一线路部、第一竖直部和突出部，该第一线路部平行于器件隔离层的顶表面延伸，该第一竖直部从第一线路部竖直延伸，以及该突出部从第一线路部朝向第三金属图案突出。第三金属图案可以包括第二线路部、第二竖直部以及阶梯部，该第二线路部平行于器件隔离层的顶表面延伸，该阶梯部覆盖突出部，以及该第二竖直部从阶梯部竖直延伸并与突出部竖直重叠。