[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底，包括第一有源区、与所述第一有源区相邻的第二有源区，以及位于所述第一有源区与所述第二有源区之间的沟槽；

器件隔离层，填充所述沟槽；

第一有源图案，在所述第一有源区上；

第二有源图案，在所述第二有源区上；以及

栅电极，延伸以与所述第一有源图案和所述第二有源图案交叉，所述栅电极包括位于所述第一有源区上的第一电极部分以及位于所述第二有源区上的第二电极部分，

其中，所述第一电极部分包括覆盖所述第一有源图案的第一金属图案以及位于所述第一金属图案上的第二金属图案，

所述第二电极部分包括覆盖所述第二有源图案的第三金属图案以及位于所述第三金属图案上的第四金属图案，

所述第一金属图案包括第一线路部和第一竖直部，所述第一线路部平行于所述器件隔离层的顶表面延伸，以及所述第一竖直部从所述第一线路部竖直延伸，

所述第三金属图案包括第二线路部和第二竖直部，所述第二线路部平行于所述器件隔离层的顶表面延伸，以及所述第二竖直部从所述第二线路部竖直延伸，以及

所述第一竖直部与所述第二竖直部接触。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第一源极/漏极图案，在所述第一有源图案上；

第二源极/漏极图案，在所述第二有源图案上；

第一沟道图案，连接到所述第一源极/漏极图案；以及

第二沟道图案，连接到所述第二源极/漏极图案，

其中，所述第一沟道图案与所述第二竖直部之间的最小距离基本上等于所述第二沟道图案与所述第一竖直部之间的最小距离。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一沟道图案和所述第二沟道图案各自包括彼此竖直间隔开的多个半导体图案。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中

所述第一金属图案填充所述第一沟道图案的多个半导体图案之间的空间，以及

所述第三金属图案填充所述第二沟道图案的多个半导体图案之间的空间。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述第三金属图案还包括突出部，所述突出部从所述第二线路部朝向所述第一金属图案突出，以及

所述第一金属图案还包括阶梯部，所述阶梯部从所述第一线路部延伸以覆盖所述突出部。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第一竖直部与所述突出部竖直重叠。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一金属图案包括与所述第三金属图案不同的材料。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述第一金属图案的厚度大于所述第三金属图案的厚度，以及

所述第一金属图案和所述第三金属图案包括相同的材料。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一竖直部和所述第二竖直部位于所述第二金属图案与所述第四金属图案之间。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述第一有源区是p型金属氧化物半导体场效应晶体管PMOSFET区，以及

所述第二有源区是n型金属氧化物半导体场效应晶体管NMOSFET区。