[发明专利]一种二氧化硅包覆层及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202210736488.9 申请日: 2022-06-27
公开(公告)号: CN115011143A 公开(公告)日: 2022-09-06
发明(设计)人: 高鸣骏;彭玉容;林贞君;周俊成 申请(专利权)人: 广州融捷显示科技有限公司
主分类号: C09C1/34 分类号: C09C1/34;C09C3/06
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人: 陈文姬
地址: 510530 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 二氧化硅 覆层 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种二氧化硅包覆层的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)制备被包覆的颗粒的分散液,并调节分散液至碱性;

(2)加入硅源,加料过程PH维持碱性,在被包覆的颗粒的表面包覆第一硅膜;

(3)调节分散液的PH为2~4,继续反应,在步骤(2)得到的第一硅膜的表面上生成第二硅膜;

(4)清洗,过滤,在被包覆的颗粒表面得到二氧化硅包覆层。

2.根据权利要求1所述的二氧化硅包覆层的制备方法,其特征在于,步骤(3)所述继续反应,具体为:

继续反应1小时以上。

3.根据权利要求1所述的二氧化硅包覆层的制备方法,其特征在于,步骤(3)所述继续反应,具体为:

再次加入硅源,继续反应1小时以上。

4.根据权利要求1所述的二氧化硅包覆层的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述的碱性,具体为:PH值为9~10。

5.根据权利要求1所述的改性的二氧化硅包覆层的制备方法,其特征在于,所述硅源为硅酸盐类。

6.根据权利要求5所述的二氧化硅包覆层的制备方法,其特征在于,步骤(2)所述加入硅源,加料过程维持PH维持碱性,在被包覆颗粒的表面包覆第一硅膜,具体为:

在温度为90℃~105℃的条件下,滴加硅酸盐类和硫酸,搅拌3h以上,在被包覆颗粒的表面包覆第一硅膜;反应过程温度维持在90℃~105℃;PH值维持在9~10。

7.根据权利要求1所述的二氧化硅包覆层的制备方法,其特征在于,所述硅源为正硅酸乙酯。

8.根据权利要求7所述的二氧化硅包覆层的制备方法,其特征在于,步骤(2)所述加入硅源,加料过程PH维持碱性,在被包覆颗粒的表面包覆第一硅膜,具体为:

将正硅酸乙酯溶解于乙醇中,加入分散液中,加料过程PH值维持在9~10;升温至65~70℃,搅拌1小时以上,在被包覆颗粒的表面包覆第一硅膜;

所述分散液包括被包覆的颗粒、纯水和氨水。

9.根据权利要求1所述的二氧化硅包覆层的制备方法,其特征在于,所述被包覆的颗粒为有机或无机粉体颗粒。

10.一种二氧化硅包覆层,其特征在于,包括包覆于颗粒表面的第一硅膜及位于所述第一硅膜表面的第二硅膜;

所述第一硅膜为在碱性条件下采用液相包覆法生成的硅膜;

所述第二硅膜为在PH为2~4的条件下采用液相包覆法生成的硅膜。

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