[发明专利]一种孔洞taper处金属偏薄或断线的改善方法

说明书

本发明提供一种孔洞taper处金属偏薄或断线的改善方法，包括如下步骤：步骤S1、在基材上镀上第一金属膜层；步骤S2、沉积绝缘层，并进行图案化，得到带有孔洞的绝缘层；步骤S3、进行第一次PVD沉积得到第二金属膜层；步骤S4、对孔洞外的绝缘层上的第二金属膜层进行研磨，得到平整的绝缘层；步骤S5、进行电化学沉积，使得孔洞内第二金属膜层上覆盖一第三金属膜层；步骤S6、进行第二次PVD沉积得到第四金属膜层。采用本发明的工艺流程，可有效消除现有工艺中孔洞梯度面金属层过薄或出现断裂等问题，提高产品质量。

技术领域

本发明涉及TFT技术领域，尤其涉及一种LCD Array面板上孔洞taper处金属偏薄或断线的改善方法。

背景技术

目前竞争最激烈的平板显示器有四个品种:1.场致发射平板显示器(FED)；2.等离子体平板显示器(PDP)；3.有机薄膜电致发光器(OLED)；4.薄膜晶体管液晶平板显示器(TFT-LCD)。其中，液晶平板显示器，特别TFT-LCD，是目前唯一在亮度、对比度、功耗、寿命、体积和重量等综合性能上全面赶上和超过CRT的显示器件，它的性能优良、大规模生产特性好，自动化程度高，原材料成本低廉，发展空间广阔。TFT是在玻璃或塑料基板等非单晶片上(当然也可以在晶片上)通过溅射、化学沉积工艺形成制造电路必需的各种膜，通过对膜的加工制作大规模半导体集成电路(LSIC)。

在集成电路制作过程中，为了在LCD Array面板上制作足够的金属内连线及增加电路的集成度，大多采用多层内连线的立体架构方式，以完成各个电路的传导。因此，在导电层(金属层)间需要用介电层(绝缘层)来隔离各金属层，避免电路间非预期的导通，那为了预期的导通则会在绝缘层进行打洞用以连接上下金属层。现有的孔洞处理是直接在带有孔洞的板上进行PVD沉积金属膜层。这样做的结果是PVD沉积金属膜层过程中，由于一些孔洞存在倾斜面，金属的阶梯覆盖能力差，就容易出现元件断线或是阻抗的增加等情况，从而影响产品质量。

发明内容

本发明要解决的技术问题，在于提供一种孔洞taper处金属偏薄或断线的改善方法，可有效消除现有工艺中孔洞梯度面金属层过薄或出现断裂等问题。

本发明是这样实现的：一种孔洞taper处金属偏薄或断线的改善方法，包括如下步骤：

步骤S1、在基材上镀上第一金属膜层；

步骤S2、沉积绝缘层，并进行图案化，得到带有孔洞的绝缘层；

步骤S3、进行第一次PVD沉积得到第二金属膜层；

步骤S4、对孔洞外的绝缘层上的第二金属膜层进行研磨，得到平整的绝缘层；

步骤S5、进行电化学沉积，使得孔洞内第二金属膜层上覆盖一第三金属膜层；

步骤S6、进行第二次PVD沉积得到第四金属膜层。

进一步的，各个金属膜层为相同材质的金属层的叠加或不同材质的金属层的叠加组合。

进一步的，所述第一次PVD沉积得到的第二金属膜层的厚度为800A～5000A。

进一步的，所述第二次PVD沉积得到的第四金属膜层的厚度为800A～5000A。

进一步的，所述步骤S4中的绝缘层为平整的有机层或TEOS层或SiNx层或SiOx层或SiOxNx层或多膜层复合膜层，且厚度为2000A～10000A。

本发明具有如下优点：通过设置平坦的绝缘层以及磨平孔洞外层表面金属层之后，利用电化学沉积对孔洞内金属层进行适当加厚，之后再进行一次PVD沉积，有效改善孔洞内金属厚度，降低阻抗及量损，提高产品整体质量。

附图说明

下面参照附图结合实施例对本发明作进一步的说明。

图1为本发明方法执行流程图。