[发明专利]一种孔洞taper处金属偏薄或断线的改善方法在审
| 申请号： | 202210722954.8 | 申请日： | 2022-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN115000011A | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 潜垚;李澈 | 申请（专利权）人： | 福建华佳彩有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L21/768;H01L27/12 |
| 代理公司： | 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212 | 代理人： | 范小清 |
| 地址： | 351100 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 孔洞 taper 金属 断线 改善 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种孔洞taper处金属偏薄或断线的改善方法，其特征在于：包括如下步骤：
步骤S1、在基材上镀上第一金属膜层；
步骤S2、沉积绝缘层，并进行图案化，得到带有孔洞的绝缘层；
步骤S3、进行第一次PVD沉积得到第二金属膜层；
步骤S4、对孔洞外的绝缘层上的第二金属膜层进行研磨，得到平整的绝缘层；
步骤S5、进行电化学沉积，使得孔洞内第二金属膜层上覆盖一第三金属膜层；
步骤S6、进行第二次PVD沉积得到第四金属膜层。
2.根据权利要求1所述的一种孔洞taper处金属偏薄或断线的改善方法，其特征在于：各个金属膜层为相同材质的金属层的叠加或不同材质的金属层的叠加组合。
3.根据权利要求1所述的一种孔洞taper处金属偏薄或断线的改善方法，其特征在于：所述第一次PVD沉积得到的第二金属膜层的厚度为800A～5000A。
4.根据权利要求1所述的一种孔洞taper处金属偏薄或断线的改善方法，其特征在于：所述第二次PVD沉积得到的第四金属膜层的厚度为800A～5000A。
5.根据权利要求1所述的一种孔洞taper处金属偏薄或断线的改善方法，其特征在于：所述步骤S4中的绝缘层为平整的有机层或TEOS层或SiNx层或SiOx层或SiOxNx层或多膜层复合膜层，且厚度为2000A～10000A。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
