[发明专利]存储装置和其产生方法

说明书

根据本公开的第一方面，提供一种存储装置，包括：电容器，其被配置成被充电；充电电路，其被配置成对所述电容器充电；传送装置，其耦合在所述充电电路与所述电容器之间；控制电路，其被配置成控制所述传送装置；光敏二极管，其耦合在所述控制电路与所述传送装置之间，使得如果所述存储装置暴露于光，则减小由所述控制电路提供到所述传送装置的输入电压。根据本公开的第二方面，构想一种产生存储装置的对应方法。

技术领域

本公开涉及一种存储装置。此外，本公开涉及一种产生存储装置的对应方法。

背景技术

基于在电容器上维持预定义电荷的原理的存储装置得到广泛使用。例如，此类存储装置可用作应答器中的所谓持久标记。如今，射频识别(RFID)应答器被广泛用于不同的工业和商业领域以及不同的用途。例如，RFID应答器可体现为所谓的RFID标签或RFID卡。应注意，在本公开中，近场通信(NFC)应答器被视为特定类型的RFID应答器。因此，本文所描述的原理还可应用于NFC应答器。

发明内容

根据本公开的第一方面，提供一种存储装置，包括：电容器，其被配置成被充电；充电电路，其被配置成对所述电容器充电；传送装置，其耦合在所述充电电路与所述电容器之间；控制电路，其被配置成控制所述传送装置；光敏二极管，其耦合在所述控制电路与所述传送装置之间，使得如果所述存储装置暴露于光，则减小由所述控制电路提供到所述传送装置的输入电压。

在一个或多个实施例中，所述传送装置包括耦合到所述充电电路的漏极、耦合到所述电容器的源极以及耦合到所述控制电路的栅极，并且所述输入电压是所述传送装置的栅极电压。

在一个或多个实施例中，减小所述输入电压使得在所述源极周围产生一层空穴。

在一个或多个实施例中，所述光敏二极管含有实施为连接到所述栅极的n阱区的阴极端和实施为p衬底的阳极端。

在一个或多个实施例中，所述p衬底是其中包括所述存储装置的应答器的p衬底。

在一个或多个实施例中，所述应答器是射频识别应答器或近场通信应答器。

在一个或多个实施例中，所述装置另外包括耦合在所述传送装置与所述电容器之间的输出电路，其中所述输出电路被配置成输出所述电容器上存在的电压。

在一个或多个实施例中，电容器的充电状态表示要保持的信息，具体地说，位。

在一个或多个实施例中，一种应答器，具体地说，射频识别应答器或近场通信应答器，包括所阐述种类的存储装置。

根据本公开的第二方面，构想一种产生存储装置的方法，所述方法包括提供具有以下各项的存储装置：电容器，其被配置成被充电；充电电路，其被配置成对所述电容器充电；传送装置，其耦合在所述充电电路与所述电容器之间；控制电路，其被配置成控制所述传送装置；光敏二极管，其耦合在所述控制电路与所述传送装置之间，使得如果所述存储装置暴露于光，则减小由所述控制电路提供到所述传送装置的输入电压。

在一个或多个实施例中，所述传送装置包括耦合到所述充电电路的漏极、耦合到所述电容器的源极以及耦合到所述控制电路的栅极，并且所述输入电压是所述传送装置的栅极电压。

在一个或多个实施例中，减小所述输入电压使得在所述源极周围产生一层空穴。

在一个或多个实施例中，所述光敏二极管含有实施为连接到所述栅极的n阱区的阴极端和实施为p衬底的阳极端。

在一个或多个实施例中，所述p衬底是其中包括所述存储装置的应答器的p衬底。

在一个或多个实施例中，所述应答器是射频识别应答器或近场通信应答器。

附图说明

将参考附图更详细地描述实施例，在附图中：

图1示出存储装置的例子；