[发明专利]存储装置和其产生方法在审
| 申请号： | 202210720410.8 | 申请日： | 2022-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN115566749A | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 弗兰克·扎卡里亚斯;斯拉米沃尔·拉法尔·玛利诺斯基;埃加斯·卡瓦略·海内斯内托;沙夫卡特·阿里 | 申请（专利权）人： | 恩智浦有限公司 |
| 主分类号： | H02J7/00 | 分类号： | H02J7/00;G06K19/077 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 冯薇;黄亮 |
| 地址： | 荷兰埃因霍温高科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储 装置 产生 方法 | ||
1.一种存储装置，其特征在于，包括：
电容器，其被配置成被充电；
充电电路，其被配置成对所述电容器充电；
传送装置，其耦合在所述充电电路与所述电容器之间；
控制电路，其被配置成控制所述传送装置；
光敏二极管，其耦合在所述控制电路与所述传送装置之间，使得如果所述存储装置暴露于光，则减小由所述控制电路提供到所述传送装置的输入电压。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述传送装置包括耦合到所述充电电路的漏极、耦合到所述电容器的源极以及耦合到所述控制电路的栅极，并且其中所述输入电压是所述传送装置的栅极电压。
3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，减小所述输入电压使得在所述源极周围产生一层空穴。
4.根据权利要求2或3所述的装置，其特征在于，所述光敏二极管含有实施为连接到所述栅极的n阱区的阴极端和实施为p衬底的阳极端。
5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述p衬底是其中包括所述存储装置的应答器的p衬底。
6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述应答器是射频识别应答器或近场通信应答器。
7.根据在前的任一项权利要求所述的装置，其特征在于，另外包括耦合在所述传送装置与所述电容器之间的输出电路，其中所述输出电路被配置成输出所述电容器上存在的电压。
8.根据在前的任一项权利要求所述的装置，其特征在于，所述电容器的充电状态表示要保持的信息，具体地说，位。
9.一种应答器，具体地说，射频识别应答器或近场通信应答器，其特征在于，包括根据在前的任一项权利要求所述的存储装置。
10.一种产生存储装置的方法，其特征在于，所述方法包括提供具有以下各项的所述存储装置：
电容器，其被配置成被充电；
充电电路，其被配置成对所述电容器充电；
传送装置，其耦合在所述充电电路与所述电容器之间；
控制电路，其被配置成控制所述传送装置；
光敏二极管，其耦合在所述控制电路与所述传送装置之间，使得如果所述存储装置暴露于光，则减小由所述控制电路提供到所述传送装置的输入电压。
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