[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、显示面板

说明书

本申请提供一种薄膜晶体管及其制造方法、显示面板，薄膜晶体管包括：沟道部；两个间隔设置的掺杂部，两个掺杂部分别位于沟道部的相对两侧，至少一个掺杂部包括一个轻掺杂部和一个重掺杂部，轻掺杂部的至少部分与重掺杂部叠置，轻掺杂部相对于重掺杂部向沟道部延伸，且轻掺杂部与沟道部接触；栅极，栅极位于沟道部的一侧，且栅极与沟道部对应设置；第一电极，第一电极与一个掺杂部接触；以及第二电极，与第一电极间隔设置，第二电极与另一个掺杂部接触。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制造方法、显示面板。

背景技术

低温多晶硅薄膜晶体管由于具有高迁移率和稳定性好的优点，使得其广泛地应用于小尺寸显示。然而，低温多晶硅薄膜晶体管的关态漏电流较大会影响显示效果。

因此，有必要提出一种技术方案以降低低温多晶硅薄膜晶体管的关态漏电流。

发明内容

本申请的目的在于提供一种薄膜晶体管及其制造方法、显示面板，以降低薄膜晶体管的关态漏电流，进而有利于提高显示面板的显示效果。

为实现上述目的，技术方案如下：

一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：

沟道部；

两个间隔设置的掺杂部，两个所述掺杂部分别位于所述沟道部的相对两侧，至少一个所述掺杂部包括一个轻掺杂部和一个重掺杂部，所述轻掺杂部的至少部分与所述重掺杂部叠置，所述轻掺杂部相对于所述重掺杂部向所述沟道部延伸，且所述轻掺杂部与所述沟道部接触；

栅极，所述栅极位于所述沟道部的一侧，且所述栅极与所述沟道部对应设置；

第一电极，所述第一电极与一个所述掺杂部接触；以及

第二电极，与所述第一电极间隔设置，所述第二电极与另一个所述掺杂部接触。

在一些实施例的薄膜晶体管中，所述第一电极和所述第二电极与所述沟道部位于不同的膜层，所述轻掺杂部位于所述重掺杂部远离所述第一电极和第二电极的一侧，所述第一电极与一个所述掺杂部的所述重掺杂部接触，所述第二电极与另一个所述掺杂部的所述重掺杂部接触。

在一些实施例的薄膜晶体管中，所述重掺杂部与所述轻掺杂部之间形成台阶，所述沟道的部分沿着所述台阶延伸且与所述重掺杂部和所述轻掺杂部接触。

在一些实施例的薄膜晶体管中，所述第一电极和所述第二电极与所述沟道部位于不同的膜层，所述轻掺杂部从所述重掺杂部靠近所述沟道部的侧面延伸至所述重掺杂部靠近所述第一电极和所述第二电极的表面上。

在一些实施例的薄膜晶体管中，所述栅极与所述轻掺杂部重叠，所述栅极与所述重掺杂部不重叠。

在一些实施例的薄膜晶体管中，所述栅极与所述轻掺杂部和所述重掺杂部均重叠。

在一些实施例的薄膜晶体管中，所述轻掺杂部的厚度大于或等于10微米且小于或等于40微米，所述重掺杂部的厚度大于或等于10微米且小于或等于40微米，所述沟道部的厚度大于或等于40微米且小于或等于60微米。

一种薄膜晶体管的制造方法，所述薄膜晶体管的制造方法包括：

形成两个间隔设置的掺杂部以及一个沟道部，所述沟道部位于两个所述掺杂部之间，至少一个所述掺杂部包括一个轻掺杂部和一个重掺杂部，所述轻掺杂部的至少部分与所述重掺杂部叠置，所述轻掺杂部相对于所述重掺杂部向所述沟道部延伸，且所述轻掺杂部与所述沟道部接触；

于所述沟道部的一侧形成栅极，所述栅极对应所述沟道部设置；

于所述沟道部的一侧形成第一电极和第二电极，所述第一电极与一个所述掺杂部接触，所述第二电极与另一个所述掺杂部接触。