[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、显示面板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：

沟道部；

两个间隔设置的掺杂部，两个所述掺杂部分别位于所述沟道部的相对两侧，至少一个所述掺杂部包括一个轻掺杂部和一个重掺杂部，所述轻掺杂部的至少部分与所述重掺杂部叠置，所述轻掺杂部相对于所述重掺杂部向所述沟道部延伸，且所述轻掺杂部与所述沟道部接触；

栅极，所述栅极位于所述沟道部的一侧，且所述栅极与所述沟道部对应设置；

第一电极，所述第一电极与一个所述掺杂部接触；以及

第二电极，与所述第一电极间隔设置，所述第二电极与另一个所述掺杂部接触。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极与所述沟道部位于不同的膜层，所述轻掺杂部位于所述重掺杂部远离所述第一电极和第二电极的一侧，所述第一电极与一个所述掺杂部的所述重掺杂部接触，所述第二电极与另一个所述掺杂部的所述重掺杂部接触。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述重掺杂部与所述轻掺杂部之间形成台阶，所述沟道的部分沿着所述台阶延伸且与所述重掺杂部和所述轻掺杂部接触。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极与所述沟道部位于不同的膜层，所述轻掺杂部从所述重掺杂部靠近所述沟道部的侧面延伸至所述重掺杂部靠近所述第一电极和所述第二电极的表面上。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极与所述轻掺杂部重叠，所述栅极与所述重掺杂部不重叠。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极与所述轻掺杂部和所述重掺杂部均重叠。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述轻掺杂部的厚度大于或等于10微米且小于或等于40微米，所述重掺杂部的厚度大于或等于10微米且小于或等于40微米，所述沟道部的厚度大于或等于40微米且小于或等于60微米。

8.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述薄膜晶体管的制造方法包括：

形成两个间隔设置的掺杂部以及一个沟道部，一个所述沟道部位于两个所述掺杂部之间，至少一个所述掺杂部包括一个轻掺杂部和一个重掺杂部，所述轻掺杂部的至少部分与所述重掺杂部叠置，所述轻掺杂部相对于所述重掺杂部向所述沟道部延伸，且所述轻掺杂部与所述沟道部接触；

于所述沟道部的一侧形成栅极，所述栅极对应所述沟道部设置；

于所述沟道部的一侧形成第一电极和第二电极，所述第一电极与一个所述掺杂部接触，所述第二电极与另一个所述掺杂部接触。

9.根据权利要求8所述薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述形成两个间隔设置的掺杂部以及沟道部包括如下步骤：

形成依次叠置的非晶硅轻掺杂层和非晶硅重掺杂层；

采用第一次构图工艺对所述非晶硅轻掺杂层和所述非晶硅重掺杂层进行图案化处理，得到非晶硅轻掺杂图案和位于所述非晶硅轻掺杂图案上的非晶硅重掺杂图案，非晶硅轻掺杂图案相对于非晶硅重掺杂图案向外延伸；

形成覆盖所述非晶硅轻掺杂图案和所述非晶硅重掺杂图案的非晶硅沟道层，采用第二次构图工艺对所述非晶硅沟道层进行图案化处理，得到非晶硅沟道图案，所述非晶硅沟道图案位于相邻两个所述非晶硅轻掺杂图案之间且与所述非晶硅轻掺杂图案以及所述非晶硅重掺杂图案接触；

对所述非晶硅轻掺杂图案、所述非晶硅重掺杂图案以及所述非晶硅沟道图案进行结晶化处理，所述非晶硅轻掺杂图案结晶化为所述轻掺杂部，所述非晶硅重掺杂图案结晶化为所述重掺杂部，所述非晶硅沟道图案结晶化为所述沟道部。

10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：

如权利要求1-7任一项所述薄膜晶体管；以及

发光单元，与所述薄膜晶体管电性连接。