[发明专利]一种基于LTCC工艺的N79频段小型化宽阻带滤波器

说明书

本发明公开了一种基于LTCC工艺的N79频段小型化宽阻带滤波器，其特征在于，包括：金属屏蔽腔；介质基板；金属银层；谐振器；金属化通孔；金属带；所述介质基板和金属银层设置于金属屏蔽腔内；所述金属银层设置于多个介质基板上下两侧；所述谐振器包括电容加载部分及等阻抗线；所述谐振器的电容加载部分由两层金属银层及连接两金属银层的金属化通孔构成；所述金属带位于介质基板及金属银层两侧，且可接收并传递来自馈源的信号；所述谐振器的电容加载部分可接收金属带传递的信号，所述谐振器的短路端由连接金属屏蔽腔的等阻抗线实现。

技术领域

本发明涉及滤波器技术领域，尤其是一种基于LTCC工艺的N79频段小型化宽阻带滤波器技术领域。

背景技术

现如今，根据不同的场合对滤波器的有不同的特性需求，现代通信市场俨然成了多种滤波器的竞技场。微波滤波器从不同工艺及结构角度上来看，有低温共烧陶瓷(LTCC)，声表面波(SAW)，体声波(BAW)，金属腔体，印刷电路板(PCB)及其他MEMS工艺等。

而现有技术的滤波器中：声表面波滤波器受限于加工工艺，且存在频率范围小，使用角度小等缺陷；体声波滤波器伴随着加工成本大，难度高，成品率低等缺陷；金属腔体滤波器受限于其原材料，存在设计灵活度低，质量重，体积大等缺陷；PCB工艺滤波器中，SIW滤波器存在体积大等缺陷；低温共烧陶瓷(LTCC)工艺具有多层电路布局及高密度封装等特点，LTCC工艺的滤波器往往采用集总电路，通过将贴片电容及螺旋电感代替集总元件，将其在LTCC基板内部级联形成滤波响应，但是这导致了滤波器金属损耗增大且尺寸增大，使得滤波器性能降低。

发明内容

为解决上述现有技术问题，本发明提供本发明提供了一种基于LTCC工艺的小型化高选择性带通滤波器，依托5G通信N79频段(4400～5000MHz)为应用背景，它是基于四分之一波长电容加载短路谐振器，四周金属层屏蔽腔，金属化通孔，LTCC工艺等技术设计的。通过在LTCC各基板两侧绘制金属电路，构造同一谐振器处在不同层，位于不同层的谐振器在水平和垂直方向均进行能量耦合，对空间实现了充分的利用，从而实现小型化设计；利用四周附着的金属构造金属屏蔽腔体，将能量束缚在封闭空间中，减少了辐射损耗的同时提高了所提出滤波器的电磁兼容能力。同时四周金属外壳均可以为地，减少了谐振器短路到地所需的金属化通孔个数，有效减少了损耗，也使得布局更加灵活。

为了实现上述目的，本发明采用的技术方案是：

一种基于LTCC工艺的N79频段小型化宽阻带滤波器，其特征在于，包括：

金属屏蔽腔；

介质基板；

金属银层；

谐振器；

金属化通孔；

金属带；

所述介质基板和金属银层设置于金属屏蔽腔内；

所述金属银层设置于多个介质基板上下两侧；

所述谐振器包括电容加载部分及等阻抗线；

所述谐振器的电容加载部分由两层金属银层及连接两金属银层的金属化通孔构成；

所述金属带位于介质基板及金属银层两侧，且可接收并传递来自馈源的信号；所述谐振器的电容加载部分可接收金属带传递的信号，所述谐振器的短路端由连接金属屏蔽腔的等阻抗线实现。

优选的，所述等阻抗线弯折设置。

优选的，所述谐振器为四分之一波长电容加载短路谐振器。

优选的，所述金属屏蔽腔为四周封闭的金属外壳。

优选的，所述金属外壳由完整的金属银在介质基板及金属银层四周封装形成。