[发明专利]一种基于LTCC工艺的N79频段小型化宽阻带滤波器

权利要求书

1.一种基于LTCC工艺的N79频段小型化宽阻带滤波器，其特征在于，包括：

金属屏蔽腔；

介质基板；

金属银层；

谐振器；

金属化通孔；

金属带；

所述介质基板和金属银层设置于金属屏蔽腔内；

所述金属银层设置于多个介质基板上下两侧；

所述谐振器包括电容加载部分及等阻抗线；

所述谐振器的电容加载部分由两层金属银层及连接两金属银层的金属化通孔构成；

所述金属带位于介质基板及金属银层两侧，且可接收并传递来自馈源的信号；所述谐振器的电容加载部分可接收金属带传递的信号，所述谐振器的短路端由连接金属屏蔽腔的等阻抗线实现。

2.根据权利要求1所述的一种基于LTCC工艺的N79频段小型化宽阻带滤波器，其特征在于：所述等阻抗线弯折设置。

3.根据权利要求2所述的一种基于LTCC工艺的N79频段小型化宽阻带滤波器，其特征在于：

所述谐振器为四分之一波长电容加载短路谐振器。

4.根据权利要求3所述的一种基于LTCC工艺的N79频段小型化宽阻带滤波器，其特征在于：

所述金属屏蔽腔为四周封闭的金属外壳。

5.根据权利要求4所述的一种基于LTCC工艺的N79频段小型化宽阻带滤波器，其特征在于：

所述金属外壳由完整的金属银在介质基板及金属银层四周封装形成。

6.根据权利要求5所述的一种基于LTCC工艺的N79频段小型化宽阻带滤波器，其特征在于：

所述滤波器为三阶带通滤波器。

7.根据权利要求6所述的一种基于LTCC工艺的N79频段小型化宽阻带滤波器，其特征在于：

所述介质基板为8层，所述金属银层为9层；

其中第1层金属银层为金属屏蔽腔底板，第9层金属银层为金属屏蔽腔顶板，第2到8层金属银层分别设置于1至8层介质基板的相邻层之间；

所述谐振器包括第一谐振器，第二谐振器，第三谐振器；

其中第一谐振器与第三谐振器的电容加载部分都由第3层金属银层和第5层金属银层及连接两金属银层的金属化通孔构成，并通过金属通孔与等阻抗线连接；所述第二谐振器的电容加载部分由第2层金属银层及第4层金属银层实现的平板电容构成，其等阻抗线位于第7层金属银层，两部分通过贯穿的金属化通孔连接。

8.根据权利要求7所述的一种基于LTCC工艺的N79频段小型化宽阻带滤波器，其特征在于：

所述第6层金属银层有一金属银质隔板，用来控制空间能量的耦合；且所述隔板上有三个圆形孔可使得金属化通孔通过。

9.根据权利要求8所述的一种基于LTCC工艺的N79频段小型化宽阻带滤波器，其特征在于：

所述屏蔽腔顶板和馈源连接，两侧的金属带将信号传递到第5层金属银层，再传递到第一谐振器的电容加载部分。

10.根据权利要求1-9所述的一种基于LTCC工艺的N79频段小型化宽阻带滤波器，其特征在于：

所述滤波器设计频段为4400MHz-5000MHz。