[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

说明书

本发明提供半导体装置及半导体装置的制造方法，能够提高密封部件与冷却板的紧贴性。冷却板(70)具备结合部(80)，该结合部(80)包括形成于冷却板(70)正面的凹状的凹陷部(81)和形成于凹陷部(81)的内部且相对于冷却板(70)的正面以锐角倾斜的卡合面(82b)。若这样的结合部(80)也被密封部件密封，则突起部(82)的卡合面(82b)对于密封部件具有锚固效果。因此，抑制密封部件从冷却板(70)剥离。

技术领域

本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。

背景技术

半导体装置包含功率器件，并且被用作电力转换装置。功率器件例如是IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅双极型晶体管)、功率MOSFET(Metal OxideSemiconductor Field Effect Transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)。另外，半导体装置将配置在由金属构成的冷却板上的绝缘电路基板和包含功率器件的半导体芯片收纳在壳体中，并利用密封部件将壳体内密封。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-115297号公报

发明内容

技术问题

但是，在半导体装置中，密封部件与冷却板通过彼此的紧贴性而紧贴。这样的紧贴性经年劣化，难以随着时间的经过而维持。若紧贴力降低，则有时导致密封部件剥离，水分从剥离部位浸入。由此，无法维持半导体芯片及绝缘电路基板等的绝缘性。另外，若紧贴力降低，则半导体芯片及绝缘电路基板也有可能从壳体脱离。因此，半导体装置的可靠性降低。

本发明是鉴于这样的问题而做出的，其目的在于提供一种提高了密封部件与冷却板的紧贴性的半导体装置及半导体装置的制造方法。

技术方案

根据本发明的一个观点，提供一种半导体装置，其具备：半导体单元，其包括半导体芯片；冷却板，其在冷却正面供所述半导体单元配置；壳体，其经由粘接剂沿所述冷却正面的外缘部设置于所述外缘部且包围所述半导体单元；以及密封部件，其将所述壳体内的所述冷却板上的所述半导体单元密封，所述冷却板具备结合部，所述结合部包括形成于所述冷却正面的凹状的凹陷部以及形成于所述凹陷部的内部且相对于所述冷却正面以锐角倾斜的卡合面。

另外，根据本发明的一个观点，提供一种半导体装置的制造方法，其包括：准备工序，准备包括半导体芯片的半导体单元和冷却板；配置工序，在所述冷却板的冷却正面配置所述半导体单元，在所述冷却正面的外缘部经由粘接剂沿所述外缘部配置包围所述半导体单元的壳体；以及密封工序，利用密封部件将所述壳体内的所述冷却板上的所述半导体单元密封，在所述配置工序之前还包括：形成工序，在所述冷却板的所述冷却正面形成凹状的凹陷部、和突起部，所述突起部在所述凹陷部的内部从凹陷底面向所述半导体单元相对于所述冷却板的层叠方向突出，并且包括与所述层叠方向平行的卡合面以及与所述卡合面相反的一侧的内表面；以及倾斜工序，以使所述卡合面相对于所述冷却正面以锐角倾斜的方式使所述突起部倾斜。

技术效果

根据公开的技术，能够提高密封部件与冷却板的紧贴性，从而能够抑制半导体装置的可靠性的降低。

附图说明

图1是第一实施方式中的半导体装置的俯视图。

图2是第一实施方式中的半导体装置的侧剖视图。

图3是第一实施方式中的半导体装置所包括的半导体单元的俯视图。

图4是在第一实施方式中的半导体装置所包括的冷却板形成的结合部的立体图。

图5是在第一实施方式中的半导体装置所包括的冷却板形成的结合部的侧剖视图。