[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审

专利信息
申请号: 202210704630.1 申请日: 2022-06-21
公开(公告)号: CN115732434A 公开(公告)日: 2023-03-03
发明(设计)人: 榎本一雄 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L21/48;H01L23/495
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 周爽;周春燕
地址: 日本神奈*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其特征在于,具备:

半导体单元,其包括半导体芯片;

冷却板,其在冷却正面配置有所述半导体单元;

壳体,其经由粘接剂沿所述冷却正面的外缘部设置于所述外缘部,并且包围所述半导体单元;以及

密封部件,其将所述壳体内的所述冷却板上的所述半导体单元密封,

所述冷却板具备结合部,所述结合部包括形成于所述冷却正面的凹状的凹陷部、以及形成于所述凹陷部的内部且相对于所述冷却正面以锐角倾斜的卡合面。

2.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

所述结合部还包括突起部,所述突起部从所述凹陷部的凹陷底面向所述半导体单元相对于所述冷却板的层叠方向突出,并且具备所述卡合面,所述凹陷底面位于比所述冷却正面更低的位置。

3.如权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,

所述突起部越过所述冷却正面而从所述凹陷底面突出。

4.如权利要求3所述的半导体装置,其特征在于,

所述突起部呈在与所述卡合面相反的一侧包括内表面的块状,所述内表面与所述卡合面一起倾斜。

5.如权利要求4所述的半导体装置,其特征在于,

从所述凹陷底面突出有多个所述突起部。

6.如权利要求5所述的半导体装置,其特征在于,

在俯视时,所述突起部以所述卡合面朝向外侧的方式隔开间隙而等间隔地形成为环状。

7.如权利要求2至4中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

所述凹陷部在俯视时呈包括直线部分的槽状,

所述卡合面沿所述凹陷部的直线方向形成于所述凹陷部。

8.如权利要求7所述的半导体装置,其特征在于,

所述凹陷部包括一对所述突起部,

一对所述突起部形成为,在俯视时各自的所述卡合面朝向外侧。

9.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

所述卡合面沿所述凹陷部的内壁部而形成。

10.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,包括:

准备工序,准备包括半导体芯片的半导体单元和冷却板;

配置工序,在所述冷却板的冷却正面配置所述半导体单元,在所述冷却正面的外缘部经由粘接剂沿所述外缘部配置包围所述半导体单元的壳体;以及

密封工序,利用密封部件对所述壳体内的所述冷却板上的所述半导体单元进行密封,

在所述配置工序之前还包括:

形成工序,在所述冷却板的所述冷却正面形成凹状的凹陷部、和突起部,所述突起部在所述凹陷部的内部从凹陷底面向所述半导体单元对于所述冷却板的层叠方向突出,并且包括与所述层叠方向平行的卡合面以及与所述卡合面相反的一侧的内表面;以及

倾斜工序,以使所述卡合面相对于所述冷却正面以锐角倾斜的方式使所述突起部倾斜。

11.如权利要求10所述半导体装置的制造方法,其特征在于,

在所述形成工序中,对于所述凹陷部,以在俯视时所述卡合面朝向外侧的方式以环状形成多个所述突起部,

在所述倾斜工序中,将多个所述突起部各自的所述内表面向外侧按压,从而使多个所述突起部倾斜。

12.如权利要求11所述半导体装置的制造方法,其特征在于,

在所述倾斜工序中,将多个所述突起部各自的所述内表面同时向外侧按压。

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